Каталог товаров > Активные компоненты > Транзисторы > Биполярные с изолированным затвором (IGBT)

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 15 позиций 
  Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
IXGA7N60B
DPAK
IXYS Corporation N-Channel IGBT 600V, 14A
Купить
0 т.
Товар в корзине
IXGT40N60B2
DPAK
IXYS Corporation N-Channel IGBT 75A 600V 82ns
Купить
0 т.
Товар в корзине
STGD10NC60HT4
DPAK
ST Microelectronics N-Channel IGBT
600V, 10A
Купить
400 т.
Товар в корзине
IRG7R313U
DPAK
IR-International Rectifier N-Channel IGBT
330V, 20A, 78W
Купить
650 т.
Товар в корзине
RJH60D3DPE
DPAK
RENESAS N-Channel IGBT с диодом 17A 600V 70ns 5Ω
Купить
0 т.
Товар в корзине
RJP63G4
DPAK
RENESAS N-Channel IGBT
Купить
0 т.
Товар в корзине
RJP63P4
DPAK
RENESAS N-Channel IGBT
Купить
0 т.
Товар в корзине
RJP30H1DPD
DPAK
RENESAS N-Channel IGBT
Купить
700 т.
Товар в корзине
IRG4RC20F
DPAK
IR-International Rectifier N-Channel IGBT (Fast Speed IGBT)
600V, 12A,
Купить
700 т.
Товар в корзине
RJH30H1
DPAK
RENESAS N-Channel IGBT с диодом
Купить
400 т.
Товар в корзине
HGTD8P50G1S
DPAK
Intersil Corporation P-Channel IGBT
-8A, -500V, 66W
Купить
0 т.
Товар в корзине
FGD3N60UNDF
DPAK
Fairchild Semiconductor N-Channel IGBT с диодом
Тех. описание(PDF)
Товар в корзине
FGD3N60LSD
DPAK
Fairchild Semiconductor N-Channel IGBT с диодом
Тех. описание(PDF)
Товар в корзине
IRGR3B60KD2
DPAK
IR-International Rectifier N-Channel IGBT с диодом
600V, 4,2A
Купить
1000 т.
Товар в корзине
STGD6NC60HDT4
DPAK
ST Microelectronics N-Channel IGBT с диодом 600V, 7A
Купить
1100 т.
Товар в корзине