×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 9 позиций 
  Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
BUZ102 E3045A
PG-TO263-3-2
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом 55V, 52A, 0,018Ω
Товар в корзине
IPB80N06S2-08 <2N0608>
PG-TO263-3-2
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом • Automotive 55V, 80A, 7,7mΩ, 215W
Купить
600 т.
Товар в корзине
BUZ111S E3045A
PG-TO263-3-2
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом
55V, 80A, 0,0008Ω
Купить
700 т.
Товар в корзине
IPB80N04S2-H4 <2N04H4>
PG-TO263-3-2
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом (Automotive)
40V, 80A, 3,7mΩ
Купить
1400 т.
Товар в корзине
IPB80N04S4-04 <4N0404>
PG-TO263-3-2
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом (Automotive)
40V, 80A, 4,2mΩ, 71W
Купить
600 т.
Товар в корзине
IPB120N04S4-04 <4N0404>
PG-TO263-3-2
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом (Automotive) 40V, 120A, 3,6mΩ, 79W
Товар в корзине
IPB70N10S3-12 <3N1012>
PG-TO263-3-2
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом (Automotive) 100V, 70A, 11,63mΩ, 125W
Купить
3000 т.
Товар в корзине
IPB80N04S4-03 <4N0403>
PG-TO263-3-2
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом (Automotive) 40V, 80A, 3,3mΩ
Товар в корзине
IPB90N04S4-02 <4N0402>
PG-TO263-3-2
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом (Automotive) 40V, 90A, 2,1mΩ, 150W, 7250pF
Купить
2300 т.
Товар в корзине