Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 10 позиций 
N-Channel с диодом

SPA20N65C3

650V, 20,7A, 0,19Ω
N-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG Infineon Technologies AG
Нет в наличии
Купить
0 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом

SPA11N60C3

N-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG Infineon Technologies AG
Есть в наличии
Купить
700 т.
Товар в корзине
Транзисторы прочие

HGTP12N60C3

Infineon Technologies AG Infineon Technologies AG
Есть в наличии
Купить
1100 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом

SPA07N60C3

650V, 7,3A, 0,60Ω
N-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG Infineon Technologies AG
Нет в наличии
Купить
0 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом

SPA11N60S5

N-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG Infineon Technologies AG
Есть в наличии
Купить
700 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом

SPA11N80S5

N-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG Infineon Technologies AG
Есть в наличии
Купить
0 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом

IPA60R600CP <6R600P>

650V, 6,1A, 0,6Ω, 28W, 21nC
N-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG Infineon Technologies AG
Есть в наличии
Купить
700 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом

IPA80R450P7

800V, 11A, 0,45Ω
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
Infineon Technologies AG Infineon Technologies AG
Нет в наличии
Товар в корзине
N-Channel с диодом

SPA08N80C3 <08N80C3>

800V, 8A, 0,65Ω, 40W
N-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG Infineon Technologies AG
Нет в наличии
Товар в корзине
N-Channel с диодом

SPA11N65C3

650V, 11A, 0,38Ω, 33W, 1200pF
N-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG Infineon Technologies AG
Есть в наличии
Купить
1000 т.
Товар в корзине