Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 8 позиций 
  Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
SPD15N06S2L64 <2N06L64>
PG-TO252-3-11
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом (Logic Level)
55V, 19A, 64mΩ
Купить
650 т.
Товар в корзине
IPB10N03L
D2PAK_INF
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом (logic level)
30V, 73A, 8,9mΩ
Купить
750 т.
Товар в корзине
IPD10N03LA <10N03L>
TO252AA
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом (logic level)
25V, 30A, 10,4mΩ
Купить
400 т.
Товар в корзине
IPP10N03L
PG-TO220-3-1
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом (logic level) 30V, 73A, 8,9mΩ
Купить
350 т.
Товар в корзине
SPP80N10L
PG-TO220-3-1
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом (Logic Level)
100V, 80A,14mΩ
Товар в корзине
IPB04N03L <04N03L02>
PG-TO263-3-2
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом (Logic Level)
30V, 80A, 3,9mΩ
Купить
650 т.
Товар в корзине
BUZ100SL
TO-220 AB
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом (Logic Level) 55V, 70A, 0,018Ω
Купить
900 т.
Товар в корзине
BUZ102SL
TO220AB
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом (Logic Level) 55V, 47A, 0,015Ω, 120W, 1380pF
Купить
1000 т.
Товар в корзине