Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 15 позиций
| Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
|---|---|---|---|---|---|
SOIC8
|
|
P-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected | -30V, -6A, 45mΩ |
Купить
600 т.
|
|
| SOIC8
|
|
N-Channel +D & P-Channel +D | 30V, 7A, 21mΩ / -30V, -6A, 35mΩ |
Купить
550 т.
|
|
|
P2803NVG
|
SOIC8
|
|
Купить
0 т.
|
||
| SOIC8
|
|
Dual N-Channel | 4A 60V |
Купить
0 т.
|
|
|
P5606HVG
|
SOIC8
|
|
Купить
1650 т.
|
||
| SOIC8
|
|
P-канальный с диодом (Logic Level) | -30V, -9V, 20mΩ |
Купить
300 т.
|
|
| SOIC8
|
|
Dual P-Channel с диодом (Logic Level) | -30V, -6A, 500mΩ |
Купить
т.
|
|
| SOIC8
|
|
P-канальный MOSFET с диодом | -30V, -13A, 10,5mΩ |
Купить
т.
|
|
|
P6006HV
|
SOIC8
|
|
Купить
250 т.
|
||
| SOIC8
|
|
Dual N-Channel +D & Dual P-Channel +D | Тех. описание(PDF) |
Купить
550 т.
|
|
| SOIC8
|
|
Dual N-Channel с диодом | 100V, 2,8A, 120mΩ (Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET) |
Купить
600 т.
|
|
| SOIC8
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 11A, 12mΩ |
Купить
550 т.
|
|
| SOIC8
|
|
Dual N-Channel с диодом | 80V, 4A, 80mΩ |
Купить
700 т.
|
|
|
N3856VG
|
SOIC8
|
|
Synchronous Rectification Controller | Тех. описание(PDF) |
Купить
500 т.
|
| SOIC8
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 11A, 12mΩ |
Купить
550 т.
|
