Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 18 позиций
Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
---|---|---|---|---|---|
TO247
|
Schottky |
Купить
0 т.
|
|||
ISO220-2
|
Schottky |
Купить
500 т.
|
|||
MBR20200CT
|
TO-220-3
|
Schottky |
Купить
320 т.
|
||
PS1010
|
DO15
|
FAST SWITCHING DIODE |
Купить
150 т.
|
||
ER1602
|
TO220-2
|
SUPERFAST RECOVERY RECTIFIER |
Купить
0 т.
|
||
ER1602CT
|
TO-220-3
|
SUPERFAST RECOVERY RECTIFIER |
Купить
400 т.
|
||
12SQ045
|
R-6
|
Schottky Barrier Rectifier |
Купить
220 т.
|
||
SBL1060CT Positive
|
TO-220-3
|
Schottky |
Купить
300 т.
|
||
SB1060CT
|
TO-220-3
|
Schottky |
Купить
300 т.
|
||
TO220AB
|
N-канальный MOSFET с диодом | 85V, 80A, 5,6mΩ, 164W, 2860pF |
Купить
550 т.
|
||
SB1040CT
|
TO-220-3
|
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS |
Купить
500 т.
|
||
DFN 5x6
|
N-канальный MOSFET с диодом | 60V, 80A, 2,8mΩ |
Купить
т.
|
||
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом | 85V, 120A, 4,6mΩ, 174W |
Купить
т.
|
||
TO-220-3
|
N-канальный MOSFET с диодом | 85V, 120A, 4,6mΩ, 174W |
Купить
500 т.
|
||
TO-3PN
|
N-Channel IGBT с диодом | 600V, 60A, 403W |
Купить
1750 т.
|
||
TO220AB
|
N-канальный MOSFET с диодом | 100V, 120A, 3,6mΩ, 227V, 6772pF |
Купить
850 т.
|
||
TO-220-3
|
N-канальный MOSFET с диодом | 60V, 160A, 2,6mΩ, 280W, 5714pF |
Купить
т.
|
||
TO220AB
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
500 т.
|