Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 30 позиций 
  Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
R2A20113ASP <20113>
SOIC8
Renesas Technology Corp Critical Conduction Mode PFC IC
Тех. описание(PDF)
Купить
750 т.
Товар в корзине
FTP18N06N
TO-220-3
InPower Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом
60V, 55A, 18mΩ
Купить
550 т.
Товар в корзине
FTW20N50A
TO-3PN
InPower Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом
500V, 20A, 0,26Ω, 230W
Купить
1000 т.
Товар в корзине
RJH3077DPK
TO-3PN
Renesas Technology Corp N-Channel IGBT с диодом 330V, 50A
Купить
3000 т.
Товар в корзине
RJK2017DPE
TO263
Renesas Technology Corp N-канальный MOSFET с диодом
200V, 45A, 0,036Ω
Купить
550 т.
Товар в корзине
BCR20KM-12L
TO-220F LG-formed
Renesas Technology Corp Triac
600V, 20A, IFGTI, IRGTI, IRGT: 30mA (20mA)
Купить
600 т.
Товар в корзине
BCR08AS-12A <2G0>
SOT89
Renesas Technology Corp Triac 600V, 0,8A
Купить
300 т.
Товар в корзине
FTP11N08A
TO220AB
InPower Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом
75V, 100A, 11mΩ
Купить
500 т.
Товар в корзине
FTP23N10A
TO220AB
InPower Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом
100V, 57A, 23mΩ
Купить
450 т.
Товар в корзине
BCR08AM-14A
TO92
Renesas Technology Corp Triac 600V, 0,8A
Купить
300 т.
Товар в корзине
FTP16N06B
TO-220-3
InPower Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом
Купить
400 т.
Товар в корзине
2SJ535
TO220F
Renesas Technology Corp P-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
Тех. описание(PDF)
Купить
350 т.
Товар в корзине
FTP11N08 Δ
TO220AB
InPower Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом
75V, 100A, 11mΩ
Купить
550 т.
Товар в корзине
RJH60D1DPE
LDPAK (S)-(1)
Renesas Technology Corp N-Channel IGBT с диодом
600V, 20A, 52W
Купить
0 т.
Товар в корзине
RJH60D1DPP-M0
TO220F
Renesas Technology Corp N-Channel IGBT с диодом
600V, 20A, 30W
Купить
550 т.
Товар в корзине
FTP08N06A
TO-220-3
InPower Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом
55V, 120A, 8mΩ
Купить
500 т.
Товар в корзине
BCR08AM-12A
TO92
Renesas Technology Corp Triac
600V, 0,8A, IRGTI, IRGT III : 5 Ma
Купить
300 т.
Товар в корзине
2CR202ANLH
TO-3PN
InPower Semiconductor Super Fast Recovery Diode
200V, 20A, 25nS
Купить
750 т.
Товар в корзине
FSW25N50A
TO-3PN
InPower Semiconductor N-Channel с диодом +Zener-protected
500V, 25A, 0,18Ω
Купить
700 т.
Товар в корзине
FTP16N06A
TO-220-3
InPower Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом
60V, 88A, 16mΩ
Купить
400 т.
Товар в корзине
RJH60T4DPQ-A0
TO247
Renesas Technology Corp N-Channel IGBT с диодом
600V, 60A
Купить
900 т.
Товар в корзине
ISL6115AIBZ
8 Ld SOIC
Renesas Technology Corp 12V Power Distribution Controllers
Тех. описание(PDF)
Товар в корзине
ISL62392IRTZ
28 LD 4X4 TQFN
Renesas Technology Corp High-Efficiency, Triple-Output System Power Supply Controller for Notebook Computers
Тех. описание(PDF)
Товар в корзине
FTA14N50C
TO-220F
InPower Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом 500V, 14A, 0,46Ω
Купить
600 т.
Товар в корзине
FTP14N50C
TO-220
InPower Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом 500V, 14A, 0,46Ω
Купить
300 т.
Товар в корзине
EL5411IREZ-T13
HTSSOP14
Renesas Technology Corp 60MHz Rail-to-Rail Input-Output Op Amps
Купить
1250 т.
Товар в корзине
BCR2AS-14A
MP-3A
Renesas Technology Corp Triac Low Power Use 700V, 2A, 10mA
Купить
800 т.
Товар в корзине
FSW25N50A
TO247
InPower Semiconductor N-Channel с диодом +Zener-protected 500V, 25A, 0,18Ω
Купить
1000 т.
Товар в корзине
FTP03N06NA
TO-220
InPower Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом 60V, 230A, 3mΩ, 284W, 5681pF
Купить
1200 т.
Товар в корзине
IGF40T120F
TO-247
InPower Semiconductor N-Channel IGBT с диодом 1200V, 40A
Товар в корзине