Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 23 позиций
| Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
|---|---|---|---|---|---|
TO-220-3
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 400V, 10,5A, 0,53Ω, 139W |
Купить
0 т.
|
|
|
TSA20N50M
|
TO247
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 500V, 20A, 0,26Ω |
Купить
750 т.
|
TO-252-2
|
|
Silicon Carbide Schottky Diode | 600V, 6A, 10nC |
Купить
1400 т.
|
|
TO220AB
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
т.
|
||
TO220F
|
|
Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
||
| TO220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 800V, 7A, 1,9Ω, 40nC |
Купить
750 т.
|
|
|
CMF20120D
|
TO-247
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 1200V, 98A, 80mΩ (Z-FET SiC MOSFET) |
Купить
0 т.
|
|
CSD06060A
|
TO-220-2
|
|
Silicon Carbide Schottky Diode | 600V, 6A, 17nC |
Купить
0 т.
|
| TO220AB
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V, 12A, 0,7Ω, 51ns |
Купить
450 т.
|
|
TO-3PN
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 500V, 20A, 0,26Ω |
Купить
750 т.
|
|
| TO-3PN
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 900V, 9A, 1,4Ω |
Купить
0 т.
|
|
| TO-3PN
|
|
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected | 900V, 9A, 1,4Ω |
Купить
0 т.
|
|
TO-247-3
|
|
1200V, 36A, 80mΩ |
Купить
т.
|
||
| TO-247-3
|
|
Silicon Carbide Schottky Diode | 1200V, 18A, 54nC |
Купить
т.
|
|
TO220-2
|
|
Silicon Carbide Schottky Diode | 1200V, 16A, 52nC |
Купить
т.
|
|
|
CSD10060A
|
TO220-2
|
|
Schottky |
Купить
1500 т.
|
|
|
CSD10060G
|
TO263
|
|
Schottky | 600V, 10A, 28nC |
Купить
1500 т.
|
| TO220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V, 7,5A, 1,2Ω |
Купить
350 т.
|
|
| TO-247-3
|
|
Silicon Carbide Schottky Diode | 600V, 22A, 42nC |
Купить
т.
|
|
| TO220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 800V, 10A, 1,10Ω, 240W, 3500pF |
Купить
900 т.
|
|
| TO220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 650V, 15A, 0,27Ω, 32W, 800pF |
Купить
т.
|
|
| TO-220-2
|
|
Silicon Carbide Schottky Diode | 600V, 7,5A, 8,5nC |
Купить
т.
|
|
|
TSP18N20M
|
TO220AB
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 200V, 18A, |
Купить
т.
|
