Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 12 позиций
| Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
|---|---|---|---|---|---|
TO3
|
|
NPN | 100V, 3A, 30W |
Купить
300 т.
|
|
|
S35VB100
|
S35VB100
|
|
Купить
700 т.
|
||
|
S25VB100
|
S25VB100
|
|
Тех. описание(PDF) |
Купить
650 т.
|
|
SOT23
|
|
Silicon Epicap Diode | 200mW, 26-32pF |
Купить
0 т.
|
|
| SOT23
|
|
Silicon Epicap Diode | 30V, 200mA, 280mW, 26-32pF |
Купить
0 т.
|
|
| SOT23
|
|
Silicon Epicap Diode | 200mW, 26-32pF |
Купить
0 т.
|
|
|
MP5010M
|
MP5010M
|
|
Купить
1200 т.
|
||
|
S50VB100
|
S50VB100
|
|
Купить
800 т.
|
||
|
D35SB100
|
Case : 5S
|
|
Single-Phase Bridge Rectifier | 1000V, 35A |
Купить
2000 т.
|
|
D35XB100
|
Case : 5S
|
|
Single-Phase Bridge Rectifier | 1000V, 35A |
Купить
800 т.
|
DFN3333-8A
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
т.
|
||
DFN3030-8B
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
т.
|
