Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 13 позиций 
  Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
DF04 021M
DB-1
GI
Купить
100 т.
Товар в корзине
SBL3040PT
TO247
GI Schottky 30A катоды вместе
Купить
500 т.
Товар в корзине
SBL2040PT
TO247
GI
Купить
0 т.
Товар в корзине
MBR3040PT
TO247AD
GI Schottky
Купить
0 т.
Товар в корзине
FES8JT
TO220-2
GI FAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER
Купить
400 т.
Товар в корзине
CS1N60 B3R
TO251
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS N-канальный MOSFET с диодом
600V, 1,5A, 7Ω, 32W
Купить
0 т.
Товар в корзине
CS1N60 A1H
TO92
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS N-канальный MOSFET с диодом
600V, 0,8A, 11Ω, 3W
Купить
300 т.
Товар в корзине
BT40T60ANFU
TO-3PN
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS N-Channel IGBT с диодом
600V, 40A, 280W
Купить
1600 т.
Товар в корзине
BT30N60ANF
TO-3PN
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS N-Channel IGBT с диодом 600V, 30A, 312W
Купить
1500 т.
Товар в корзине
BT40T60ANFK
TO-3PN
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS N-Channel IGBT с диодом 600V, 40A, 280W
Купить
1800 т.
Товар в корзине
BT40T60ANFD
TO-3PN
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS N-Channel IGBT с диодом 600V, 40A, 280W
Купить
1600 т.
Товар в корзине
BT40N60BNF
TO-3PN
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS N-Channel IGBT с диодом 600V, 40A, 312W
Купить
1600 т.
Товар в корзине
CS100N03 B4
TO-252
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS N-канальный MOSFET с диодом 30V, 100A, 4,0mΩ, 100W
Купить
400 т.
Товар в корзине