Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 15 позиций 
  Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
LM555CN
DIP8-300
H
Купить
100 т.
Товар в корзине
FP60N06L
TO220AB
H N-канальный MOSFET с диодом
Купить
0 т.
Товар в корзине
LM79L05
Unknown
H
Купить
0 т.
Товар в корзине
CD4093BE
DIP14
H 4 логических элемента 2И-НЕ с триггерами Шмитта-инверторов на выходах (CMOS Quad 2-Input NAND Schmitt Triggers)
Купить
200 т.
Товар в корзине
CD4541BE
DIP14
H Таймеры программируемые (CMOS Programmable Timer)
Купить
0 т.
Товар в корзине
SSP40N10
TO220AB
H N-канальный MOSFET с диодом
Купить
0 т.
Товар в корзине
MJE13005
TO-220-3
H NPN
Купить
150 т.
Товар в корзине
CS1N60 B3R
TO251
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS N-канальный MOSFET с диодом
600V, 1,5A, 7Ω, 32W
Купить
0 т.
Товар в корзине
CS1N60 A1H
TO92
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS N-канальный MOSFET с диодом
600V, 0,8A, 11Ω, 3W
Купить
300 т.
Товар в корзине
BT40T60ANFU
TO-3PN
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS N-Channel IGBT с диодом
600V, 40A, 280W
Купить
1600 т.
Товар в корзине
BT30N60ANF
TO-3PN
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS N-Channel IGBT с диодом 600V, 30A, 312W
Купить
1500 т.
Товар в корзине
BT40T60ANFK
TO-3PN
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS N-Channel IGBT с диодом 600V, 40A, 280W
Купить
1800 т.
Товар в корзине
BT40T60ANFD
TO-3PN
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS N-Channel IGBT с диодом 600V, 40A, 280W
Купить
1600 т.
Товар в корзине
BT40N60BNF
TO-3PN
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS N-Channel IGBT с диодом 600V, 40A, 312W
Купить
1600 т.
Товар в корзине
CS100N03 B4
TO-252
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS N-канальный MOSFET с диодом 30V, 100A, 4,0mΩ, 100W
Купить
400 т.
Товар в корзине