Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 15 позиций
Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
---|---|---|---|---|---|
LM555CN
|
DIP8-300
|
Купить
100 т.
|
|||
FP60N06L
|
TO220AB
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
0 т.
|
||
LM79L05
|
Unknown
|
Купить
0 т.
|
|||
CD4093BE
|
DIP14
|
4 логических элемента 2И-НЕ с триггерами Шмитта-инверторов на выходах (CMOS Quad 2-Input NAND Schmitt Triggers) |
Купить
200 т.
|
||
CD4541BE
|
DIP14
|
Таймеры программируемые (CMOS Programmable Timer) |
Купить
0 т.
|
||
SSP40N10
|
TO220AB
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
0 т.
|
||
MJE13005
|
TO-220-3
|
NPN |
Купить
150 т.
|
||
TO251
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V, 1,5A, 7Ω, 32W |
Купить
0 т.
|
||
TO92
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V, 0,8A, 11Ω, 3W |
Купить
300 т.
|
||
TO-3PN
|
N-Channel IGBT с диодом | 600V, 40A, 280W |
Купить
1600 т.
|
||
TO-3PN
|
N-Channel IGBT с диодом | 600V, 30A, 312W |
Купить
1500 т.
|
||
TO-3PN
|
N-Channel IGBT с диодом | 600V, 40A, 280W |
Купить
1800 т.
|
||
TO-3PN
|
N-Channel IGBT с диодом | 600V, 40A, 280W |
Купить
1600 т.
|
||
TO-3PN
|
N-Channel IGBT с диодом | 600V, 40A, 312W |
Купить
1600 т.
|
||
TO-252
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 100A, 4,0mΩ, 100W |
Купить
400 т.
|