Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 16 позиций
Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
---|---|---|---|---|---|
TO220F
|
400V, 30A |
Купить
т.
|
|||
S-8333
|
SOIC8
|
Купить
0 т.
|
|||
TMPF9N60G
|
TO220F
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
0 т.
|
||
TO220F
|
N-канальный MOSFET с диодом | 660V, 10A, 0,75Ω |
Купить
0 т.
|
||
TO220F
|
N-Channel IGBT | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
||
TO220FP
|
N-канальный MOSFET с диодом | 660V, 10A, 0,75Ω |
Купить
320 т.
|
||
TO220FP
|
N-канальный MOSFET с диодом | 660V, 12A, 0,65Ω |
Купить
420 т.
|
||
TO252AA
|
400V, 30A |
Купить
600 т.
|
|||
TO220F
|
N-Channel IGBT | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
||
S24CS64A
|
SOIC8
|
Купить
250 т.
|
|||
S24CS02AFT TB GE
|
TSSOP8
|
2K (256×8) EEPROM. CMOS Serial EPROM |
Купить
300 т.
|
||
S-80840ANY
|
TO92
|
Supervisory Circuits Voltage Detector |
Купить
т.
|
||
TGAN50N60SFD
|
TO-3PN
|
N-Channel IGBT с диодом |
Купить
1100 т.
|
||
S8081B
|
DIP8-300
|
CR-TIMER | Тех. описание(PDF) |
Купить
500 т.
|
|
TO-3PN
|
N-Channel IGBT с диодом | 1350V, 60A/30A, 329W/132W |
Купить
т.
|
||
TO-3PN
|
N-Channel IGBT с диодом | 600V, 60A, 347/139W |
Купить
1700 т.
|