Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 25 позиций 
  Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
HY3003B
TO-263-2L.
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом
Купить
600 т.
Товар в корзине
HY5110A
TO-3P-3L
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 100V, 316A, 2,1mΩ
Товар в корзине
S-8333
SOIC8
Seiko Instruments
Купить
0 т.
Товар в корзине
HY4004B ◙
TO-263-2L
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 40V, 208A, 2,5mΩ
Товар в корзине
HY4004P ◙
TO-220FB-3L
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 40V, 208A, 2,5mΩ
Товар в корзине
S24CS64A
SOIC8
Seiko Instruments
Купить
250 т.
Товар в корзине
S24CS02AFT TB GE
TSSOP8
Seiko Instruments 2K (256×8) EEPROM. CMOS Serial EPROM
Купить
300 т.
Товар в корзине
S-80840ANY
TO92
Seiko Instruments Supervisory Circuits Voltage Detector
Товар в корзине
S8081B
DIP8-300
Seiko Instruments CR-TIMER
Тех. описание(PDF)
Купить
500 т.
Товар в корзине
HYG055N08NS1P
TO-220FB-3L
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом
80V, 120A, 5,3mΩ, VGS(th): 3V
Купить
650 т.
Товар в корзине
HY1920P
TO-220FB-3L
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 200V, 90A, 23mΩ
Товар в корзине
HY1920W
TO-247A-3L
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом
200V, 90A, 23mΩ
Товар в корзине
HY5110W
TO-247A-3L
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом
100V, 316A, 2,1mΩ
Купить
1500 т.
Товар в корзине
HY3003P
TO-220FB-3L
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 30V, 100A, 3,5mΩ, 71W, 3267pF
Купить
700 т.
Товар в корзине
HY14P10B
TO-263-2L.
HUAYI Microelectronics P-канальный MOSFET с диодом -100V, -40A, 45mΩ
Товар в корзине
HY3008B
TO-263-2L.
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом
Купить
600 т.
Товар в корзине
HY3008P
TO-220FB-3L
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом
Купить
600 т.
Товар в корзине
HY8345 ◙
SOP8
HUAYI Microelectronics
Купить
800 т.
Товар в корзине
HYG067N07NQ1P
TO-220FB-3L
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 68V, 80A, 6,5mΩ, 136W/68W
Купить
1200 т.
Товар в корзине
HYG067N07NQ1PS
TO-3PS-3L
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 68V, 80A, 6,5mΩ
Товар в корзине
HYG042N10P
TO-220FB-3L
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 100V, 160A,
Купить
750 т.
Товар в корзине
HYG019N04NR1C2
PDFN8L(5x6)
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 40V, 127A, 2,0mΩ, 79/39W
Товар в корзине
HYG060N08NS1P TO-220FB-3L SAS
TO-220FB-3L
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 80V, 105A, 5,5mΩ, 125/62,5W
Купить
700 т.
Товар в корзине
HY19P03P
TO-220FB-3L
HUAYI Microelectronics P-канальный MOSFET с диодом -30V, -90A, 4,7mΩ, 96W, 4787pF
Купить
700 т.
Товар в корзине
HYG030N03LQ1P
TO-220FB-3L
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 30V, 100A/71A, 2,8mΩ, 100W/37,5W, 1986pF
Купить
550 т.
Товар в корзине