Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 16 позиций 
  Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
2W08M
WOB
Galaxy Semi-Conductor
Купить
120 т.
Товар в корзине
H5N2517FN
TO-220F LG-formed
Renesas Technology N-канальный MOSFET с диодом
250V, 20A, 30W
Купить
850 т.
Товар в корзине
1.5KE33СA
DO201
Galaxy Semi-Conductor
Купить
150 т.
Товар в корзине
2SK1070
SOT89
Renesas Technology N-Channel Junction FET
Купить
1400 т.
Товар в корзине
MBR840
TO220-2
Galaxy Semi-Conductor Schottky Barrier Rectifier / Шоттки 40V, 8A
Купить
400 т.
Товар в корзине
H7N1004DS
DPAK
Renesas Technology N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
100V, 25A, 25mΩ
Товар в корзине
BYM26D
DO-201AD
Galaxy Semi-Conductor SUPER FAST RECTIFIER
Fast soft-recovery controlled avalanche rectifier
Купить
0 т.
Товар в корзине
P6KE6.8A
DO15
Galaxy Semi-Conductor
Купить
130 т.
Товар в корзине
RJP6065DPM
TO-3PFM.
Renesas Technology N-Channel IGBT
630V, ±30A, 50W
Товар в корзине
ERD09-15
DO201
Galaxy Semi-Conductor FAST RECOVERY RECTIFIER
1500V, 3A
Купить
220 т.
Товар в корзине
RG4C
DO27
Galaxy Semi-Conductor HIGH EFFICIENCY RECTIFIER
50ns
Купить
0 т.
Товар в корзине
SBL10100
TO220-2
Galaxy Semi-Conductor Schottky
Тех. описание(PDF)
Купить
0 т.
Товар в корзине
2SK1070PIDTL-E
SOT23
Renesas Technology N-Channel Junction FET
Тех. описание(PDF)
Купить
0 т.
Товар в корзине
H5N5001FM
TO–220FM
Renesas Technology N-канальный MOSFET с диодом
500V, 5A, 1,1Ω, 15ns, 15nC
Товар в корзине
2SA1661
SOT89
Galaxy Semi-Conductor PNP
Купить
250 т.
Товар в корзине
MBRF10100CT
TO-220IS
Galaxy Semi-Conductor Schottky Barrier Diode
Купить
400 т.
Товар в корзине