Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 17 позиций 
  Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
2W08M
WOB
Galaxy Semi-Conductor
Купить
120 т.
Товар в корзине
1.5KE33СA
DO201
Galaxy Semi-Conductor
Купить
150 т.
Товар в корзине
MBR840
TO220-2
Galaxy Semi-Conductor Schottky Barrier Rectifier / Шоттки 40V, 8A
Купить
400 т.
Товар в корзине
BYM26D
DO-201AD
Galaxy Semi-Conductor SUPER FAST RECTIFIER
Fast soft-recovery controlled avalanche rectifier
Купить
0 т.
Товар в корзине
P6KE6.8A
DO15
Galaxy Semi-Conductor
Купить
130 т.
Товар в корзине
ERD09-15
DO201
Galaxy Semi-Conductor FAST RECOVERY RECTIFIER
1500V, 3A
Купить
220 т.
Товар в корзине
KSH13007A
TO220
SemiHow NPN
400V, 7A,
Купить
250 т.
Товар в корзине
HTB1A80
TO92
SemiHow
4 Quadrants Sensitive TRIAC
Купить
0 т.
Товар в корзине
HFS10N60S
TO220F
SemiHow N-канальный MOSFET с диодом
600V, 9,5A, 0,67Ω
Купить
350 т.
Товар в корзине
RG4C
DO27
Galaxy Semi-Conductor HIGH EFFICIENCY RECTIFIER
50ns
Купить
0 т.
Товар в корзине
KSH13009
TO220
SemiHow NPN
Купить
200 т.
Товар в корзине
SBL10100
TO220-2
Galaxy Semi-Conductor Schottky
Тех. описание(PDF)
Купить
0 т.
Товар в корзине
HFS7N60
TO220F
SemiHow N-канальный MOSFET с диодом
Купить
0 т.
Товар в корзине
2SA1661
SOT89
Galaxy Semi-Conductor PNP
Купить
250 т.
Товар в корзине
MBRF10100CT
TO-220IS
Galaxy Semi-Conductor Schottky Barrier Diode
Купить
400 т.
Товар в корзине
HCS80R250H
TO-247
SemiHow N-канальный MOSFET с диодом 850V, 18A, 0,25Ω
Товар в корзине
HCS80R250T
TO-220F
SemiHow N-канальный MOSFET с диодом 850V, 18A, 0,25Ω, 34W, 2550pF
Товар в корзине