Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 18 позиций 
  Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
SSM70L02H
DPAK
Silicon Standard Corp.
Купить
0 т.
Товар в корзине
2W08M
WOB
Galaxy Semi-Conductor
Купить
120 т.
Товар в корзине
SSM70L02H
DPAK
Silicon Standard Corp. N-канальный MOSFET с диодом
25V, 66A, 9mΩ
Купить
0 т.
Товар в корзине
SSM70T03H
DPAK
Silicon Standard Corp. N-канальный MOSFET с диодом
30V, 60A, 9mΩ
Купить
1250 т.
Товар в корзине
1.5KE33СA
DO201
Galaxy Semi-Conductor
Купить
150 т.
Товар в корзине
MBR840
TO220-2
Galaxy Semi-Conductor Schottky Barrier Rectifier / Шоттки 40V, 8A
Купить
400 т.
Товар в корзине
SSM9960GM
SOIC8
Silicon Standard Corp. Dual N-Channel с диодом
40V, 7,8A, 20mΩ
Купить
750 т.
Товар в корзине
BYM26D
DO-201AD
Galaxy Semi-Conductor SUPER FAST RECTIFIER
Fast soft-recovery controlled avalanche rectifier
Купить
0 т.
Товар в корзине
P6KE6.8A
DO15
Galaxy Semi-Conductor
Купить
130 т.
Товар в корзине
SSM3310GH
DPAK
Silicon Standard Corp. P-канальный MOSFET с диодом
-20V, -10A, 150mΩ
Купить
0 т.
Товар в корзине
SSM9926EM
SOIC8
Silicon Standard Corp. Dual N-Channel с диодом +
Тех. описание(PDF)
Купить
400 т.
Товар в корзине
ERD09-15
DO201
Galaxy Semi-Conductor FAST RECOVERY RECTIFIER
1500V, 3A
Купить
220 т.
Товар в корзине
RG4C
DO27
Galaxy Semi-Conductor HIGH EFFICIENCY RECTIFIER
50ns
Купить
0 т.
Товар в корзине
SSM9926GEO <9926GEO>
TSSOP8
Silicon Standard Corp. Dual N-Channel с диодом +
20V, 4,6A, 28mΩ
Купить
500 т.
Товар в корзине
SBL10100
TO220-2
Galaxy Semi-Conductor Schottky
Тех. описание(PDF)
Купить
0 т.
Товар в корзине
SSM07N70CP
TO220AB
Silicon Standard Corp. N-канальный MOSFET с диодом
675V, 7A, 1,2Ω
Товар в корзине
2SA1661
SOT89
Galaxy Semi-Conductor PNP
Купить
250 т.
Товар в корзине
MBRF10100CT
TO-220IS
Galaxy Semi-Conductor Schottky Barrier Diode
Купить
400 т.
Товар в корзине