Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 17 позиций 
  Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
2W08M
WOB
Galaxy Semi-Conductor
Купить
120 т.
Товар в корзине
1.5KE33СA
DO201
Galaxy Semi-Conductor
Купить
150 т.
Товар в корзине
MBR840
TO220-2
Galaxy Semi-Conductor Schottky Barrier Rectifier / Шоттки 40V, 8A
Купить
400 т.
Товар в корзине
BYM26D
DO-201AD
Galaxy Semi-Conductor SUPER FAST RECTIFIER
Fast soft-recovery controlled avalanche rectifier
Купить
0 т.
Товар в корзине
P6KE6.8A
DO15
Galaxy Semi-Conductor
Купить
130 т.
Товар в корзине
SST25VF512
SOIC8
Silicon Storage Technology
Купить
0 т.
Товар в корзине
SST25VF032
SOP8-208mil
Silicon Storage Technology
Купить
0 т.
Товар в корзине
SST25VF032B
SOP8-208mil
Silicon Storage Technology
Купить
800 т.
Товар в корзине
ERD09-15
DO201
Galaxy Semi-Conductor FAST RECOVERY RECTIFIER
1500V, 3A
Купить
220 т.
Товар в корзине
RG4C
DO27
Galaxy Semi-Conductor HIGH EFFICIENCY RECTIFIER
50ns
Купить
0 т.
Товар в корзине
SST25VF010A
SOIC8
Silicon Storage Technology Flash-память, 1 Mbit SPI Serial Flash
Тех. описание(PDF)
Купить
500 т.
Товар в корзине
SST25VF016B
SOP8-208mil
Silicon Storage Technology Flash-память, 16 Mbit SPI Serial Flash
Тех. описание(PDF)
Купить
600 т.
Товар в корзине
SST25VF080B
SOP8-208mil
Silicon Storage Technology Flash-память, 8 Mbit SPI Serial Flash
Купить
700 т.
Товар в корзине
SBL10100
TO220-2
Galaxy Semi-Conductor Schottky
Тех. описание(PDF)
Купить
0 т.
Товар в корзине
SST29EE512-90-4C-NH
PLCC32
Silicon Storage Technology Флэш-память. 512 Kbit (64K x 8) page-mode EEPROM
Тех. описание(PDF)
Купить
850 т.
Товар в корзине
2SA1661
SOT89
Galaxy Semi-Conductor PNP
Купить
250 т.
Товар в корзине
MBRF10100CT
TO-220IS
Galaxy Semi-Conductor Schottky Barrier Diode
Купить
400 т.
Товар в корзине