Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 12 позиций
| Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
|---|---|---|---|---|---|
|
GL1150
|
DIP20-300
|
|
Купить
250 т.
|
||
|
GL3120
|
SDIP30-400
|
|
Купить
450 т.
|
||
|
GS8034-03C
|
SDIP42-600
|
|
Купить
2500 т.
|
||
|
M34300-320SP
|
SDIP42-600
|
|
Купить
2500 т.
|
||
TO-220F LG-formed
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 250V, 20A, 30W |
Купить
850 т.
|
|
|
2SK1070
|
SOT89
|
|
N-Channel Junction FET |
Купить
1400 т.
|
|
DPAK
|
|
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected | 100V, 25A, 25mΩ |
Купить
т.
|
|
TO-3PFM.
|
|
N-Channel IGBT | 630V, ±30A, 50W |
Купить
т.
|
|
|
GD74LS125A
|
DIP14
|
|
Буферы и линейные аппаратные драйверы. QUADRUPLE BUS BUFFERS WITH 3-STATE OUTPUTS |
Купить
300 т.
|
|
|
2SK1070PIDTL-E
|
SOT23
|
|
N-Channel Junction FET | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
TO–220FM
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 500V, 5A, 1,1Ω, 15ns, 15nC |
Купить
т.
|
|
|
GD74HCT27
|
DIP14
|
|
Dual 4-input NAND Gate |
Купить
550 т.
|
