Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 20 позиций 
N-Channel с диодом
TO220(STM)

SSF7510

75V, 75A, 7,2mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Silikron Semiconductor Silikron Semiconductor
Нет в наличии
Купить
0 т.
Товар в корзине
Выпрямительные мосты
S35VB100

S35VB100

Leshan Radio Company Leshan Radio Company
Есть в наличии
Купить
700 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO220AB

SSF6014

60V, 60A, 14mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Silikron Semiconductor Silikron Semiconductor
Есть в наличии
Купить
500 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO220F

SSF6014

60V, 60A, 14mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Silikron Semiconductor Silikron Semiconductor
Нет в наличии
Купить
500 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO220(STM)

SSF5508

55V, 110A, 4,5mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Silikron Semiconductor Silikron Semiconductor
Есть в наличии
Купить
1100 т.
Товар в корзине
Выпрямительные мосты
S25VB100

S25VB100

Тех. описание(PDF)
Leshan Radio Company Leshan Radio Company
Есть в наличии
Купить
650 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO220AB

SSFT3904

30V, 110A, 2,6mΩ, 100W
N-канальный MOSFET с диодом
Silikron Semiconductor Silikron Semiconductor
Есть в наличии
Купить
500 т.
Товар в корзине
Варикапы
SOT23

MV209

200mW, 26-32pF
Silicon Epicap Diode
Leshan Radio Company Leshan Radio Company
Нет в наличии
Купить
0 т.
Товар в корзине
Варикапы
SOT23

MBV109T1

30V, 200mA, 280mW, 26-32pF
Silicon Epicap Diode
Leshan Radio Company Leshan Radio Company
Нет в наличии
Купить
0 т.
Товар в корзине
Варикапы
SOT23

MMBV109LT1

200mW, 26-32pF
Silicon Epicap Diode
Leshan Radio Company Leshan Radio Company
Нет в наличии
Купить
0 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO-220-3

SSF5508

55V, 110A, 4,5mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Silikron Semiconductor Silikron Semiconductor
Есть в наличии
Купить
400 т.
Товар в корзине
Выпрямительные мосты
MP5010M

MP5010M

Leshan Radio Company Leshan Radio Company
Есть в наличии
Купить
1200 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO220

SSF7509

75V, 80A, 6,5mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Silikron Semiconductor Silikron Semiconductor
Есть в наличии
Купить
450 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO220AB

SSF7509

75V, 80A, 6,5mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Silikron Semiconductor Silikron Semiconductor
Есть в наличии
Купить
400 т.
Товар в корзине
Выпрямительные мосты
S50VB100

S50VB100

Leshan Radio Company Leshan Radio Company
Есть в наличии
Купить
800 т.
Товар в корзине
Выпрямительные мосты
Case : 5S

D35SB100

1000V, 35A
Single-Phase Bridge Rectifier
Leshan Radio Company Leshan Radio Company
Есть в наличии
Купить
2000 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO220AB

SSF7510

75V, 75A, 7,2mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Silikron Semiconductor Silikron Semiconductor
Есть в наличии
Купить
350 т.
Товар в корзине
Выпрямительные мосты
Case : 5S

D35XB100

1000V, 35A
Single-Phase Bridge Rectifier
Leshan Radio Company Leshan Radio Company
Есть в наличии
Купить
800 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
DFN3333-8A

LNB8350DT0AG

N-канальный MOSFET с диодом
Leshan Radio Company Leshan Radio Company
Нет в наличии
Товар в корзине
N-Channel с диодом
DFN3030-8B

LN8350DT1AG

N-канальный MOSFET с диодом
Leshan Radio Company Leshan Radio Company
Нет в наличии
Товар в корзине