Корзина
8 727 374-83-38 / +7 701 322 8530 / info@radiotovar.kz
Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 17 позиций 
N-Channel с диодом
TO220(STM)

SSF7510

75V, 75A, 7,2mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Silikron Semiconductor Silikron Semiconductor
Нет в наличии
Купить
0 т.
✖
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO220AB

SSF6014

60V, 60A, 14mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Silikron Semiconductor Silikron Semiconductor
Есть в наличии
Купить
500 т.
✖
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO220F

SSF6014

60V, 60A, 14mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Silikron Semiconductor Silikron Semiconductor
Нет в наличии
Купить
500 т.
✖
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO220(STM)

SSF5508

55V, 110A, 4,5mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Silikron Semiconductor Silikron Semiconductor
Есть в наличии
Купить
1100 т.
✖
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO220AB

SSFT3904

30V, 110A, 2,6mΩ, 100W
N-канальный MOSFET с диодом
Silikron Semiconductor Silikron Semiconductor
Есть в наличии
Купить
500 т.
✖
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO-220-3

SSF5508

55V, 110A, 4,5mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Silikron Semiconductor Silikron Semiconductor
Есть в наличии
Купить
400 т.
✖
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO220

SSF7509

75V, 80A, 6,5mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Silikron Semiconductor Silikron Semiconductor
Есть в наличии
Купить
450 т.
✖
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO220AB

SSF7509

75V, 80A, 6,5mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Silikron Semiconductor Silikron Semiconductor
Есть в наличии
Купить
400 т.
✖
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO251

CS1N60 B3R

600V, 1,5A, 7Ω, 32W
N-канальный MOSFET с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Нет в наличии
Купить
0 т.
✖
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO92

CS1N60 A1H

600V, 0,8A, 11Ω, 3W
N-канальный MOSFET с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Есть в наличии
Купить
300 т.
✖
Товар в корзине
N-Channel IGBT с диодом
TO-3PN

BT40T60ANFU

600V, 40A, 280W
N-Channel IGBT с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Есть в наличии
Купить
1600 т.
✖
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO220AB

SSF7510

75V, 75A, 7,2mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Silikron Semiconductor Silikron Semiconductor
Есть в наличии
Купить
350 т.
✖
Товар в корзине
N-Channel IGBT с диодом
TO-3PN

BT30N60ANF

600V, 30A, 312W
N-Channel IGBT с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Есть в наличии
Купить
1500 т.
✖
Товар в корзине
N-Channel IGBT с диодом
TO-3PN

BT40T60ANFK

600V, 40A, 280W
N-Channel IGBT с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Есть в наличии
Купить
1800 т.
✖
Товар в корзине
N-Channel IGBT с диодом
TO-3PN

BT40T60ANFD

600V, 40A, 280W
N-Channel IGBT с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Нет в наличии
Купить
1600 т.
✖
Товар в корзине
N-Channel IGBT с диодом
TO-3PN

BT40N60BNF

600V, 40A, 312W
N-Channel IGBT с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Нет в наличии
Купить
1600 т.
✖
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO-252

CS100N03 B4

30V, 100A, 4,0mΩ, 100W
N-канальный MOSFET с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Есть в наличии
Купить
400 т.
✖
Товар в корзине