Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 12 позиций 
  Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
IXGQ90N33TCD1
TO-3PN
IXYS Corporation N-Channel IGBT с диодом
Купить
1400 т.
Товар в корзине
IXTQ96N15P
TO-3PN
IXYS Corporation N-Channel с диодом
150V, 96A, 24mΩ
Товар в корзине
IXTQ50N25T
TO-3PN
IXYS Corporation N-канальный MOSFET с диодом 250V, 50A, 60mΩ, 400W
Купить
0 т.
Товар в корзине
IXTQ36N50P
TO-3PN
IXYS Corporation N-канальный MOSFET с диодом 36A 500V 170mΩ
Купить
0 т.
Товар в корзине
IXTH88N30P
TO-3PN
IXYS Corporation N-канальный MOSFET с диодом 300V, 88A, 40mΩ
Купить
1200 т.
Товар в корзине
IXTQ460P2
TO-3PN
IXYS Corporation N-канальный MOSFET с диодом 500V, 24A, 270mΩ, 400ns
Купить
700 т.
Товар в корзине
IXTQ76N25T
TO-3PN
IXYS Corporation N-канальный MOSFET с диодом 250V, 76A, 39mΩ, 460W, 4500pF
Купить
2400 т.
Товар в корзине
IXTQ100N25P
TO-3PN
IXYS Corporation N-канальный MOSFET с диодом
Купить
0 т.
Товар в корзине
IXTQ96N20P
TO-3PN
IXYS Corporation N-канальный MOSFET с диодом
200V, 96A, 24mΩ
Купить
1800 т.
Товар в корзине
IXTQ200N10T
TO-3PN
IXYS Corporation N-канальный MOSFET с диодом
100V, 200A, 5,5mΩ, 550W, 9400pF
Купить
2500 т.
Товар в корзине
DPG60C300QB
TO-3PN
IXYS Corporation High Performance Fast Recovery Diode
300V, 2x30A, 35ns
Купить
2400 т.
Товар в корзине
IXTQ74N20P
TO-3PN
IXYS Corporation N-канальный MOSFET с диодом 200V, 74A, 34mΩ, 480W, 3300pF
Товар в корзине