Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 28 позиций 
  Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
DBL1045
SIL16
LG
Купить
300 т.
Товар в корзине
LG8534-07C
SDIP52-600
LG
Купить
3500 т.
Товар в корзине
LG8534-13A GMS84512-TA005
SDIP52-600
LG
Купить
1500 т.
Товар в корзине
LG8838-07C CXP86441-523S
SDIP52-600
LG
Купить
1500 т.
Товар в корзине
LG9734-02C
SDIP52-600
LG
Купить
6500 т.
Товар в корзине
LG8534-13B GMS84512-TA005
SDIP52-400
LG
Купить
1500 т.
Товар в корзине
LG8534-07D
SDIP52-600
LG
Купить
3500 т.
Товар в корзине
LG8993-28B
Unknown
LG
Купить
3500 т.
Товар в корзине
LG8634-16C GMS84512-TA018
SDIP52-600
LG
Купить
3000 т.
Товар в корзине
LG8634-16A
SDIP52-600
LG
Купить
0 т.
Товар в корзине
LG9732-02C
Unknown
LG
Купить
6500 т.
Товар в корзине
YPPD-J017C
YPPD
LG
Купить
0 т.
Товар в корзине
SG3524BDW
SO16
LG
Купить
350 т.
Товар в корзине
GL3812
DIP22-400
LG
Купить
0 т.
Товар в корзине
YPPD-J014A
YPPD
LG
Купить
0 т.
Товар в корзине
YPPD-J018C
YPPD
LG
Купить
11000 т.
Товар в корзине
YPPD-J018E
YPPD
LG
Купить
0 т.
Товар в корзине
YPPD-J014C
YPPD
LG
Купить
0 т.
Товар в корзине
BD9219FV
Unknown
LG
Купить
0 т.
Товар в корзине
CS1N60 B3R
TO251
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS N-канальный MOSFET с диодом
600V, 1,5A, 7Ω, 32W
Купить
0 т.
Товар в корзине
CS1N60 A1H
TO92
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS N-канальный MOSFET с диодом
600V, 0,8A, 11Ω, 3W
Купить
300 т.
Товар в корзине
BT40T60ANFU
TO-3PN
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS N-Channel IGBT с диодом
600V, 40A, 280W
Купить
1600 т.
Товар в корзине
C0308G-MC016 LG PSU V1.20 9B8F
DIP28-300
LG
Купить
1200 т.
Товар в корзине
BT30N60ANF
TO-3PN
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS N-Channel IGBT с диодом 600V, 30A, 312W
Купить
1500 т.
Товар в корзине
BT40T60ANFK
TO-3PN
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS N-Channel IGBT с диодом 600V, 40A, 280W
Купить
1800 т.
Товар в корзине
BT40T60ANFD
TO-3PN
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS N-Channel IGBT с диодом 600V, 40A, 280W
Купить
1600 т.
Товар в корзине
BT40N60BNF
TO-3PN
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS N-Channel IGBT с диодом 600V, 40A, 312W
Купить
1600 т.
Товар в корзине
CS100N03 B4
TO-252
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS N-канальный MOSFET с диодом 30V, 100A, 4,0mΩ, 100W
Купить
400 т.
Товар в корзине