Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 9 позиций 
Микросхемы памяти
DIP8-300

FM24C16-C

RIC RIC
Есть в наличии
Купить
120 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO251

CS1N60 B3R

600V, 1,5A, 7Ω, 32W
N-канальный MOSFET с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Нет в наличии
Купить
0 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO92

CS1N60 A1H

600V, 0,8A, 11Ω, 3W
N-канальный MOSFET с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Есть в наличии
Купить
300 т.
Товар в корзине
N-Channel IGBT с диодом
TO-3PN

BT40T60ANFU

600V, 40A, 280W
N-Channel IGBT с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Есть в наличии
Купить
1600 т.
Товар в корзине
N-Channel IGBT с диодом
TO-3PN

BT30N60ANF

600V, 30A, 312W
N-Channel IGBT с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Есть в наличии
Купить
1500 т.
Товар в корзине
N-Channel IGBT с диодом
TO-3PN

BT40T60ANFK

600V, 40A, 280W
N-Channel IGBT с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Есть в наличии
Купить
1800 т.
Товар в корзине
N-Channel IGBT с диодом
TO-3PN

BT40T60ANFD

600V, 40A, 280W
N-Channel IGBT с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Нет в наличии
Купить
1600 т.
Товар в корзине
N-Channel IGBT с диодом
TO-3PN

BT40N60BNF

600V, 40A, 312W
N-Channel IGBT с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Нет в наличии
Купить
1600 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO-252

CS100N03 B4

30V, 100A, 4,0mΩ, 100W
N-канальный MOSFET с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Есть в наличии
Купить
400 т.
Товар в корзине