Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 12 позиций 
  Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
NCEP40T11GU
DFN5X6-8L
NCE Power Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом 40V, 110A, 2,4mΩ, 75W
Купить
900 т.
Товар в корзине
TDA2822D
DIP8-300
SUM УМЗЧ. DUAL LOW-VOLTAGE POWER AMPLIFIER
Купить
150 т.
Товар в корзине
TDA2822M 12V
DIP8-300
SUM УМЗЧ. DUAL LOW-VOLTAGE POWER AMPLIFIER
Купить
100 т.
Товар в корзине
LM386N
DIP8-300
SUM УМЗЧ
Купить
0 т.
Товар в корзине
NCE8290
TO-220-3L
NCE Power Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом 82V, 90A, 8,5mΩ, 170W
Купить
650 т.
Товар в корзине
NCE30H15
TO-220-3L
NCE Power Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом 30V, 150A, 3,0mΩ
Купить
750 т.
Товар в корзине
NCEP40T15GU
DFN5X6-8L
NCE Power Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом 40V, 150A, 6mΩ, 88W
Купить
900 т.
Товар в корзине
NCE8295A
TO-220-3L
NCE Power Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом 82V, 95A, 8,0mΩ, 170W, 6800pF
Товар в корзине
NCE8295AD
TO-263-2L
NCE Power Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом 82V, 95A, 8,0mΩ, 170W, 6800pF
Товар в корзине
NCE82H140
TO-220-3L
NCE Power Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом 82V, 140A, 5,2mΩ, 220W, 7900pF
Купить
600 т.
Товар в корзине
NCE4688
SOIC8
NCE Power Semiconductor N-Channel +D & P-Channel +D 60V, 6,3A, 30mΩ / -60V, -6,0A, 80mΩ
Купить
650 т.
Товар в корзине
NCE30H15K
TO-252-2L
NCE Power Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом 30V, 150A, 4,0mΩ, 130W,
Купить
700 т.
Товар в корзине