|
|
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 15 позиций
N-Channel IGBT с диодом
APT15GP60BDF1
N-Channel IGBT с диодом
Advanced Power Technology
Нет в наличии
NPN
2N5109
NPN
Advanced Power Technology
Нет в наличии
Диоды Шоттки
C3D04060E
Silicon Carbide Schottky Diode
CREE POWER
Есть в наличии
N-Channel с диодом
CMF20120D
1200V, 98A, 80mΩ (Z-FET SiC MOSFET)
N-канальный MOSFET с диодом
CREE POWER
Нет в наличии
Диоды Шоттки
CSD06060A
Silicon Carbide Schottky Diode
CREE POWER
Нет в наличии
Диоды ультрабыстрые
APT60DQ60S
ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
Advanced Power Technology
Нет в наличии
N-Channel с диодом
C2M0080120D
CREE POWER
Нет в наличии
Диоды Шоттки
C4D10120D
Silicon Carbide Schottky Diode
CREE POWER
Нет в наличии
Диоды Шоттки
C4D10120A
Silicon Carbide Schottky Diode
CREE POWER
Нет в наличии
Диоды ультрабыстрые
APT15D100KG
ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
Advanced Power Technology
Есть в наличии
Диоды Шоттки
CSD10060A
Schottky
CREE POWER
Есть в наличии
Диоды Шоттки
CSD10060G
Schottky
CREE POWER
Есть в наличии
Диоды Шоттки
C3D16060D
600V, 22A, 42nC
Silicon Carbide Schottky Diode
CREE POWER
Нет в наличии
N-Channel с диодом
APT11N80KC3
800V, 11A, 0,450Ω
Super Junction MOSFET
Advanced Power Technology
Нет в наличии
Диоды Шоттки
C3D04060A
600V, 7,5A, 8,5nC
Silicon Carbide Schottky Diode
CREE POWER
Нет в наличии
|