|
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 35 позиций
N-Channel с диодом
SW1N60
N-канальный MOSFET с диодом
Samwin
Есть в наличии
Микросхемы прочие
SW2604
Samwin
Есть в наличии
N-Channel с диодом
HY3003B
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
Есть в наличии
N-Channel с диодом
SW50N06
N-канальный MOSFET с диодом
Samwin
Нет в наличии
N-Channel с диодом
HY5110A
100V, 316A, 2,1mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
Нет в наличии
N-Channel с диодом
SW88R06VT
60V, 100A, 10mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Samwin
Есть в наличии
Микросхемы прочие
SW2658
Samwin
Нет в наличии
Микросхемы прочие
SW2658A
Samwin
Есть в наличии
N-Channel с диодом
HY4004B ◙
40V, 208A, 2,5mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
Нет в наличии
N-Channel с диодом
SSW4N60
N-канальный MOSFET с диодом
Samwin
Есть в наличии
N-Channel с диодом
HY4004P ◙
40V, 208A, 2,5mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
Нет в наличии
N-Channel с диодом
SW2N60
N-канальный MOSFET с диодом
Samwin
Нет в наличии
N-Channel с диодом
SW2N60
N-канальный MOSFET с диодом
Samwin
Есть в наличии
N-Channel с диодом
HYG055N08NS1P
80V, 120A, 5,3mΩ, VGS(th): 3V
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
Есть в наличии
N-Channel с диодом
HY1920P
200V, 90A, 23mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
Нет в наличии
N-Channel с диодом
HY1920W
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
Нет в наличии
N-Channel с диодом
HY5110W
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
Нет в наличии
N-Channel с диодом
HY3003P
30V, 100A, 3,5mΩ, 71W, 3267pF
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
Есть в наличии
P-Channel с диодом
HY14P10B
-100V, -40A, 45mΩ
P-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
Нет в наличии
N-Channel с диодом
HY3008B
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
Есть в наличии
N-Channel с диодом
HY3008P
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
Есть в наличии
N-Channel с диодом
SW088R06VT
60V, 40A, 11mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Samwin
Нет в наличии
N-Channel с диодом
SW088R06VT
60V, 40A, 11mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Samwin
Нет в наличии
Микросхемы прочие
HY8345 ◙
HUAYI Microelectronics
Есть в наличии
N-Channel с диодом
SW088R06VT
60V, 100A, 10mΩ, 195W, 2400pF
N-канальный MOSFET с диодом
Samwin
Есть в наличии
N-Channel с диодом
SW088R06VT ◙
60V, 100A, 10mΩ, 195W, 2400pF
N-канальный MOSFET с диодом
Samwin
Есть в наличии
N-Channel с диодом
HYG067N07NQ1P
68V, 80A, 6,5mΩ, 136W/68W
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
Есть в наличии
N-Channel с диодом
HYG067N07NQ1PS
68V, 80A, 6,5mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
Нет в наличии
N-Channel с диодом
HYG042N10P
100V, 160A,
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
Нет в наличии
N-Channel с диодом
SW50N06
60V, 50A, 0,023Ω, 130W, 900pF
N-канальный MOSFET с диодом
Samwin
Есть в наличии
N-Channel с диодом
SW110N08A
80V, 110A, 7,2mΩ, 266,3W, 4588pF
N-канальный MOSFET с диодом
Samwin
Нет в наличии
N-Channel с диодом
HYG019N04NR1C2
40V, 127A, 2,0mΩ, 79/39W
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
Нет в наличии
N-Channel с диодом
HYG060N08NS1P TO-220FB-3L SAS
80V, 105A, 5,5mΩ, 125/62,5W
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
Есть в наличии
P-Channel с диодом
HY19P03P
-30V, -90A, 4,7mΩ, 96W, 4787pF
P-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
Есть в наличии
N-Channel с диодом
HYG030N03LQ1P
30V, 100A/71A, 2,8mΩ, 100W/37,5W, 1986pF
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
Есть в наличии
|