Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 16 позиций 
  Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
SW1N60
DPAK
Samwin N-канальный MOSFET с диодом
600V, 1,0A, 12Ω
Купить
1600 т.
Товар в корзине
SW2604
DIP8-300
Samwin
Купить
300 т.
Товар в корзине
SW50N06
TO220AB
Samwin N-канальный MOSFET с диодом
Купить
350 т.
Товар в корзине
SW88R06VT
TO-220-3
Samwin N-канальный MOSFET с диодом 60V, 100A, 10mΩ
Купить
600 т.
Товар в корзине
SW2658
DIP8-300
Samwin
Купить
700 т.
Товар в корзине
SW2658A
DIP8-300
Samwin
Купить
700 т.
Товар в корзине
SSW4N60
TO220F
Samwin N-канальный MOSFET с диодом
Купить
250 т.
Товар в корзине
SW2N60
TO220AB
Samwin N-канальный MOSFET с диодом
Купить
0 т.
Товар в корзине
SW2N60
TO220F
Samwin N-канальный MOSFET с диодом
Купить
300 т.
Товар в корзине
SW088R06VT
SOP-8
Samwin N-канальный MOSFET с диодом 60V, 40A, 11mΩ
Купить
500 т.
Товар в корзине
SW088R06VT
TO-252
Samwin N-канальный MOSFET с диодом 60V, 40A, 11mΩ
Купить
500 т.
Товар в корзине
SW088R06VT
TO220AB
Samwin N-канальный MOSFET с диодом 60V, 100A, 10mΩ, 195W, 2400pF
Купить
500 т.
Товар в корзине
SW088R06VT ◙
TO263
Samwin N-канальный MOSFET с диодом 60V, 100A, 10mΩ, 195W, 2400pF
Купить
500 т.
Товар в корзине
SGBJ35-1200
SGBJ
Luguang Electronic Technology (LGE) 3 Phase Bridge Rectifiers
Купить
1500 т.
Товар в корзине
SW50N06
TO220(ST)
Samwin N-канальный MOSFET с диодом 60V, 50A, 0,023Ω, 130W, 900pF
Купить
350 т.
Товар в корзине
SW110N08A
TO220
Samwin N-канальный MOSFET с диодом 80V, 110A, 7,2mΩ, 266,3W, 4588pF
Товар в корзине