Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 18 позиций 
  Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
EN25T80-75QCP
DIP8-300
cFeon
Купить
300 т.
Товар в корзине
EN25F80-100QCP
DIP8-300
cFeon Flash Memory
Купить
300 т.
Товар в корзине
EN25T80-75HCP
SOP8-208mil
cFeon
Купить
450 т.
Товар в корзине
EN25T16-75HCP
SOIC8
cFeon
Купить
0 т.
Товар в корзине
EN25T16-75QIP
DIP8-300
cFeon
Купить
0 т.
Товар в корзине
EN25QH16-104HIP
SOP8-208mil
cFeon Flash-память. 16 Megabit Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector
Тех. описание(PDF)
Купить
400 т.
Товар в корзине
EN25F40-100GCP
SOIC8
cFeon Flash Memory
Купить
500 т.
Товар в корзине
EN25Q32B-104HIP
SOP8-208mil
cFeon Flash-память. 32 Megabit Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector
Тех. описание(PDF)
Купить
400 т.
Товар в корзине
EN25F32-100HIP
SOP8-208mil
cFeon Flash-память. 32 Megabit Serial Flash Memory with 4Kbytes Uniform Sector
Тех. описание(PDF)
Купить
550 т.
Товар в корзине
EN25F16-100HIP
SOP8-208mil
cFeon Flash-память. 16 Megabit Serial Flash Memory with 4Kbytes Uniform Sector
Тех. описание(PDF)
Купить
400 т.
Товар в корзине
STK1820F
TO-220 FULLPAK
VBsemi Electronics N-канальный MOSFET с диодом 200V, 20A, 0,17Ω
Товар в корзине
MDD1902RH
TO-252
VBsemi Electronics N-канальный MOSFET с диодом 100V, 40A, 28mΩ
Купить
600 т.
Товар в корзине
1N0608
TO220AB
VBsemi Electronics N-канальный MOSFET с диодом 60V, 120A, 0,005Ω, 136W
Товар в корзине
P9006EVG
SOIC8
VBsemi Electronics P-канальный MOSFET с диодом 60V, 4,5A, 0,05Ω
Купить
850 т.
Товар в корзине
P2003ND5G
TO-252-4L
VBsemi Electronics N-Channel +D & P-Channel +D 40V,
Товар в корзине
STK5006P
TO220AB
VBsemi Electronics N-канальный MOSFET с диодом 60V, 50A, 0,024Ω
Товар в корзине
UD9926G-S08-R
SOIC8
VBsemi Electronics Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Купить
500 т.
Товар в корзине
EN25QH64A
SOP8-208mil
cFeon Flash-память. 64 Megabit 3V Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector
Товар в корзине