Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 19 позиций
| Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
|---|---|---|---|---|---|
|
SSM70L02H
|
DPAK
|
|
Купить
0 т.
|
||
| DPAK
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 25V, 66A, 9mΩ |
Купить
0 т.
|
|
| DPAK
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 60A, 9mΩ |
Купить
1250 т.
|
|
|
S35VB100
|
S35VB100
|
|
Купить
700 т.
|
||
SOIC8
|
|
Dual N-Channel с диодом | 40V, 7,8A, 20mΩ |
Купить
750 т.
|
|
| DPAK
|
|
P-канальный MOSFET с диодом | -20V, -10A, 150mΩ |
Купить
0 т.
|
|
| SOIC8
|
|
Dual N-Channel с диодом + | Тех. описание(PDF) |
Купить
400 т.
|
|
|
S25VB100
|
S25VB100
|
|
Тех. описание(PDF) |
Купить
650 т.
|
|
SOT23
|
|
Silicon Epicap Diode | 200mW, 26-32pF |
Купить
0 т.
|
|
| SOT23
|
|
Silicon Epicap Diode | 30V, 200mA, 280mW, 26-32pF |
Купить
0 т.
|
|
| SOT23
|
|
Silicon Epicap Diode | 200mW, 26-32pF |
Купить
0 т.
|
|
|
MP5010M
|
MP5010M
|
|
Купить
1200 т.
|
||
TSSOP8
|
|
Dual N-Channel с диодом + | 20V, 4,6A, 28mΩ |
Купить
500 т.
|
|
|
S50VB100
|
S50VB100
|
|
Купить
800 т.
|
||
|
D35SB100
|
Case : 5S
|
|
Single-Phase Bridge Rectifier | 1000V, 35A |
Купить
2000 т.
|
TO220AB
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 675V, 7A, 1,2Ω |
Купить
т.
|
|
|
D35XB100
|
Case : 5S
|
|
Single-Phase Bridge Rectifier | 1000V, 35A |
Купить
800 т.
|
DFN3333-8A
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
т.
|
||
DFN3030-8B
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
т.
|
