Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 20 позиций 
  Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
MDA2061
DIP14
ITT Semiconductors
Купить
450 т.
Товар в корзине
MDA2062
DIP14
ITT Semiconductors
Купить
500 т.
Товар в корзине
SAA1130
DIP18
ITT Semiconductors
Купить
250 т.
Товар в корзине
SAA1293-02
DIP40-600
ITT Semiconductors
Купить
1000 т.
Товар в корзине
SAA1293A-02
DIP40-600
ITT Semiconductors
Купить
1200 т.
Товар в корзине
TBA950-2X/2
DIP14
ITT Semiconductors
Купить
200 т.
Товар в корзине
TDA9503
DIP16
ITT Semiconductors
Купить
400 т.
Товар в корзине
VCU2133A
SMD
ITT Semiconductors
Купить
1200 т.
Товар в корзине
VSP2860
DIP40-600
ITT Semiconductors
Купить
3300 т.
Товар в корзине
TBA2800 ITT
DIP14
ITT Semiconductors
Купить
130 т.
Товар в корзине
TDA1940-F
DIP18
ITT Semiconductors
Купить
0 т.
Товар в корзине
UAF2115
HDIP12
ITT Semiconductors
Тех. описание(PDF)
Купить
2500 т.
Товар в корзине
MXP43P9AT
TO220AB
MaxPower Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом
40V, 116A, 3,9mΩ
Купить
400 т.
Товар в корзине
TCA700Y
TO202AB
ITT Semiconductors
Купить
3000 т.
Товар в корзине
MXP4004AT
TO220AB
MaxPower Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом
40V, 158A, 4,0mΩ
Купить
1400 т.
Товар в корзине
MXP4004BTS
TO220AB
MaxPower Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом
40V, 175A, 4,0mΩ
Купить
900 т.
Товар в корзине
MXP6008CT
TO220AB
MaxPower Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом 60V, 109A, 8mΩ
Купить
500 т.
Товар в корзине
MXP4002AT
TO220AB
MaxPower Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом 40V, 252A, 2,0mΩ, 242W
Товар в корзине
MXP4002BT
TO220AB
MaxPower Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом 40V, 173A, 4,0mΩ
Товар в корзине
MXP63D8AF
DPAK
MaxPower Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом
Товар в корзине