Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 18 позиций 
  Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
MDA2061
DIP14
ITT Semiconductors
Купить
450 т.
Товар в корзине
MDA2062
DIP14
ITT Semiconductors
Купить
500 т.
Товар в корзине
SAA1130
DIP18
ITT Semiconductors
Купить
250 т.
Товар в корзине
SAA1293-02
DIP40-600
ITT Semiconductors
Купить
1000 т.
Товар в корзине
SAA1293A-02
DIP40-600
ITT Semiconductors
Купить
1200 т.
Товар в корзине
TBA950-2X/2
DIP14
ITT Semiconductors
Купить
200 т.
Товар в корзине
TDA9503
DIP16
ITT Semiconductors
Купить
400 т.
Товар в корзине
VCU2133A
SMD
ITT Semiconductors
Купить
1200 т.
Товар в корзине
VSP2860
DIP40-600
ITT Semiconductors
Купить
3300 т.
Товар в корзине
TBA2800 ITT
DIP14
ITT Semiconductors
Купить
130 т.
Товар в корзине
TDA1940-F
DIP18
ITT Semiconductors
Купить
0 т.
Товар в корзине
UAF2115
HDIP12
ITT Semiconductors
Тех. описание(PDF)
Купить
2500 т.
Товар в корзине
TCA700Y
TO202AB
ITT Semiconductors
Купить
3000 т.
Товар в корзине
FBM75N68P Δ
TO-220FB-3L
FBM@ N-канальный MOSFET с диодом
68V, 80A, 6,8mΩ
Купить
350 т.
Товар в корзине
FBM85N80B
TO-263-2L
FBM@ N-канальный MOSFET с диодом 80V, 90A, 7,0mΩ
Купить
0 т.
Товар в корзине
FBM85N80P
TO-220FB-3L
FBM@ N-канальный MOSFET с диодом
80V, 90A, 7,0mΩ
Купить
350 т.
Товар в корзине
FBM100N80P
TO-220FB-2L
FBM@ N-канальный MOSFET с диодом 80V, 100A, 7,0mΩ
Купить
600 т.
Товар в корзине
FBM100N80PN ◙
TO-220FB-2L
FBM@ N-канальный MOSFET с диодом
Купить
600 т.
Товар в корзине