Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 22 позиций 
  Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
MDA2061
DIP14
ITT Semiconductors
Купить
450 т.
Товар в корзине
MDA2062
DIP14
ITT Semiconductors
Купить
500 т.
Товар в корзине
SAA1130
DIP18
ITT Semiconductors
Купить
250 т.
Товар в корзине
SAA1293-02
DIP40-600
ITT Semiconductors
Купить
1000 т.
Товар в корзине
SAA1293A-02
DIP40-600
ITT Semiconductors
Купить
1200 т.
Товар в корзине
TBA950-2X/2
DIP14
ITT Semiconductors
Купить
200 т.
Товар в корзине
TDA9503
DIP16
ITT Semiconductors
Купить
400 т.
Товар в корзине
VCU2133A
SMD
ITT Semiconductors
Купить
1200 т.
Товар в корзине
VSP2860
DIP40-600
ITT Semiconductors
Купить
3300 т.
Товар в корзине
TBA2800 ITT
DIP14
ITT Semiconductors
Купить
130 т.
Товар в корзине
TDA1940-F
DIP18
ITT Semiconductors
Купить
0 т.
Товар в корзине
UAF2115
HDIP12
ITT Semiconductors
Тех. описание(PDF)
Купить
2500 т.
Товар в корзине
TCA700Y
TO202AB
ITT Semiconductors
Купить
3000 т.
Товар в корзине
CRST065N08N
TO220AB
CRMicro N-канальный MOSFET с диодом 85V, 80A, 5,6mΩ, 164W, 2860pF
Купить
550 т.
Товар в корзине
CRSM034N06L2
DFN 5x6
CRMicro N-канальный MOSFET с диодом 60V, 80A, 2,8mΩ
Товар в корзине
CRSS052N08N
TO263
CRMicro N-канальный MOSFET с диодом 85V, 120A, 4,6mΩ, 174W
Товар в корзине
CRST055N08N
TO-220-3
CRMicro N-канальный MOSFET с диодом 85V, 120A, 4,6mΩ, 174W
Купить
500 т.
Товар в корзине
CRG60T60AN3H
TO-3PN
CRMicro N-Channel IGBT с диодом 600V, 60A, 403W
Купить
1500 т.
Товар в корзине
CRST045N10NP
TO220AB
CRMicro N-канальный MOSFET с диодом 100V, 120A, 3,6mΩ, 227W, 6772pF
Купить
850 т.
Товар в корзине
CRTT032N06N
TO220AB
CRMicro N-канальный MOSFET с диодом 60V, 160A, 2,6mΩ, 280W, 5714pF
Купить
750 т.
Товар в корзине
CS150N03A8-2
TO220AB
CRMicro N-канальный MOSFET с диодом
Купить
500 т.
Товар в корзине
G15T120BNR3S
TO-3PN
CRMicro N-Channel IGBT с диодом
Купить
850 т.
Товар в корзине