Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 20 позиций 
  Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
MDA2061
DIP14
ITT Semiconductors
Купить
450 т.
Товар в корзине
MDA2062
DIP14
ITT Semiconductors
Купить
500 т.
Товар в корзине
SAA1130
DIP18
ITT Semiconductors
Купить
250 т.
Товар в корзине
SAA1293-02
DIP40-600
ITT Semiconductors
Купить
1000 т.
Товар в корзине
SAA1293A-02
DIP40-600
ITT Semiconductors
Купить
1200 т.
Товар в корзине
TBA950-2X/2
DIP14
ITT Semiconductors
Купить
200 т.
Товар в корзине
TDA9503
DIP16
ITT Semiconductors
Купить
400 т.
Товар в корзине
VCU2133A
SMD
ITT Semiconductors
Купить
1200 т.
Товар в корзине
VSP2860
DIP40-600
ITT Semiconductors
Купить
3300 т.
Товар в корзине
TBA2800 ITT
DIP14
ITT Semiconductors
Купить
130 т.
Товар в корзине
TDA1940-F
DIP18
ITT Semiconductors
Купить
0 т.
Товар в корзине
UAF2115
HDIP12
ITT Semiconductors
Тех. описание(PDF)
Купить
2500 т.
Товар в корзине
TCA700Y
TO202AB
ITT Semiconductors
Купить
3000 т.
Товар в корзине
CS20N50A8H
TO220AB
Huajing Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом
Товар в корзине
CS20N50ANH
TO-3PN
Huajing Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом
Товар в корзине
CS75N75B8H
TO220AB
Huajing Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 75V, 100A, 10,2mΩ, 230W
Товар в корзине
CS150N03A8
TO220AB
Huajing Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 30V, 150A, 2,8mΩ, 100W, 10000pF
Купить
550 т.
Товар в корзине
CS1N60C23HD <1N60C23HD>
SOT223
Huajing Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом
Купить
780 т.
Товар в корзине
CS20J65AN
TO-3PN
Huajing Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 650V, 20A, 0,18Ω, 180W
Товар в корзине
CS2837AND
TO-3PN
Huajing Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected 500V, 20A, 0,18Ω, 230W
Товар в корзине