Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 17 позиций 
  Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
MDA2061
DIP14
ITT Semiconductors
Купить
450 т.
Товар в корзине
MDA2062
DIP14
ITT Semiconductors
Купить
500 т.
Товар в корзине
SAA1130
DIP18
ITT Semiconductors
Купить
250 т.
Товар в корзине
SAA1293-02
DIP40-600
ITT Semiconductors
Купить
1000 т.
Товар в корзине
SAA1293A-02
DIP40-600
ITT Semiconductors
Купить
1200 т.
Товар в корзине
TBA950-2X/2
DIP14
ITT Semiconductors
Купить
200 т.
Товар в корзине
TDA9503
DIP16
ITT Semiconductors
Купить
400 т.
Товар в корзине
VCU2133A
SMD
ITT Semiconductors
Купить
1200 т.
Товар в корзине
VSP2860
DIP40-600
ITT Semiconductors
Купить
3300 т.
Товар в корзине
TBA2800 ITT
DIP14
ITT Semiconductors
Купить
130 т.
Товар в корзине
TDA1940-F
DIP18
ITT Semiconductors
Купить
0 т.
Товар в корзине
UAF2115
HDIP12
ITT Semiconductors
Тех. описание(PDF)
Купить
2500 т.
Товар в корзине
TCA700Y
TO202AB
ITT Semiconductors
Купить
3000 т.
Товар в корзине
CRSS038N08N
TO263
China Resources Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 85V, 120A, 3,4mΩ, 208W
Товар в корзине
CRST041N08N
TO-220-3
China Resources Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 85V, 120A, 3,4mΩ, 208W, 6050pF
Купить
600 т.
Товар в корзине
SKD502T
TO-220
China Resources Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 85V, 120A, 4,6mΩ, 174W, 3086pF
Товар в корзине
SKSS055N08N
TO-263
China Resources Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 85V, 120A, 4,6mΩ, 174W
Товар в корзине