Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 13 позиций 
Оптроны симисторные
6PIN DIP

MOC3022

400V, с логическим выходом
Оптосимистор, оптопара с симисторным выходом
Lite-On Technology Corporation Lite-On Technology Corporation
Есть в наличии
Купить
0 т.
Товар в корзине
Фототранзисторы
LTR

LTR4206E

3mm 940nm 40° 30V
NPN Phototransistor
Lite-On Technology Corporation Lite-On Technology Corporation
Есть в наличии
Купить
200 т.
Товар в корзине
Защитные диоды ESD
SOT23-6

L12ESDL5V0C6-4C

Тех. описание(PDF)
ESD PROTECTION DEVICE
Lite-On Technology Corporation Lite-On Technology Corporation
Нет в наличии
Товар в корзине
Диоды Шоттки
ITO-220AB(W/B)

G40100CTFW

100V, 40A
TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER
Lite-On Technology Corporation Lite-On Technology Corporation
Есть в наличии
Купить
400 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO251

CS1N60 B3R

600V, 1,5A, 7Ω, 32W
N-канальный MOSFET с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Нет в наличии
Купить
0 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO92

CS1N60 A1H

600V, 0,8A, 11Ω, 3W
N-канальный MOSFET с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Есть в наличии
Купить
300 т.
Товар в корзине
N-Channel IGBT с диодом
TO-3PN

BT40T60ANFU

600V, 40A, 280W
N-Channel IGBT с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Есть в наличии
Купить
1600 т.
Товар в корзине
Оптроны транзисторные
DIP6-L

H11A1

Тех. описание(PDF)
Lite-On Technology Corporation Lite-On Technology Corporation
Есть в наличии
Товар в корзине
N-Channel IGBT с диодом
TO-3PN

BT30N60ANF

600V, 30A, 312W
N-Channel IGBT с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Есть в наличии
Купить
1500 т.
Товар в корзине
N-Channel IGBT с диодом
TO-3PN

BT40T60ANFK

600V, 40A, 280W
N-Channel IGBT с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Есть в наличии
Купить
1800 т.
Товар в корзине
N-Channel IGBT с диодом
TO-3PN

BT40T60ANFD

600V, 40A, 280W
N-Channel IGBT с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Нет в наличии
Купить
1600 т.
Товар в корзине
N-Channel IGBT с диодом
TO-3PN

BT40N60BNF

600V, 40A, 312W
N-Channel IGBT с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Нет в наличии
Купить
1600 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO-252

CS100N03 B4

30V, 100A, 4,0mΩ, 100W
N-канальный MOSFET с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Есть в наличии
Купить
400 т.
Товар в корзине