Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 250 позиций
| Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
|---|---|---|---|---|---|
|
M51132L
|
ZIP14-P-325-1.27
|
|
Купить
0 т.
|
||
TO-220F-3L
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
600 т.
|
||
|
2SD789E
|
TO92FullPak
|
|
NPN |
Купить
0 т.
|
|
LDPAK(S)-(1)
|
|
N-Channel с диодом +Zener-protected | Тех. описание(PDF) |
Купить
400 т.
|
|
|
R2A15106NP
|
Unknown
|
|
Купить
т.
|
||
|
R2A15120FA
|
HTQFP48
|
|
Купить
т.
|
||
|
R2A15120FP
|
HTQFP48
|
|
Купить
1500 т.
|
||
SOT89
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 16V, 2,4A, |
Купить
500 т.
|
|
|
HD74LS123P
|
DIP16
|
|
Мультивибратор. Dual Retriggerable Monostable Multivibrator (with Clear) | Тех. описание(PDF) |
Купить
200 т.
|
|
R2A20292BFT
|
TQFP128
|
|
Купить
1700 т.
|
||
|
2SJ79
|
TO220AB
|
|
P-Channel |
Купить
1200 т.
|
|
DPAK
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 25V, 60A, 7mΩ |
Купить
650 т.
|
|
TO247
|
|
High Voltage Phase Control Thyristor |
Купить
1300 т.
|
||
8-pin HVSON
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
1000 т.
|
||
TO-252
|
|
P-канальный MOSFET с диодом | -30V, -12A, 45mΩ |
Купить
800 т.
|
|
SOIC8
|
|
P-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected | -30V, -6A, 45mΩ |
Купить
600 т.
|
|
| TO-252
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 25V, 50A, 9,5mΩ |
Купить
600 т.
|
|
| SOIC8
|
|
N-Channel +D & P-Channel +D | 30V, 7A, 21mΩ / -30V, -6A, 35mΩ |
Купить
550 т.
|
|
DIP8-300
|
|
Dual N-Channel +D & Dual P-Channel +D | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
|
| TO-252
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 40V, 12A, 25mΩ |
Купить
500 т.
|
|
|
P2803NVG
|
SOIC8
|
|
Купить
0 т.
|
||
| DPAK
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 40V, 25A, 28mΩ |
Купить
300 т.
|
|
DPAK-5(4)
|
|
N-Channel +D & P-Channel +D | 40V 12A 30mΩ/-40A -55A 8,8mΩ |
Купить
400 т.
|
|
TO252
|
|
N-канальный MOSFET с диодом (Logic Level) | 25V, 12A, 50mΩ |
Купить
750 т.
|
|
| TO252
|
|
P-Channel с диодом (Logic Level Enhancement) | -40V, -10A, 44mΩ |
Купить
450 т.
|
|
|
P5504EDG
|
DPAK
|
|
P-канальный MOSFET с диодом |
Купить
500 т.
|
|
| SOIC8
|
|
Dual N-Channel | 4A 60V |
Купить
0 т.
|
|
|
R2S25400
|
H-SIP-15ZZ(SIP3-15TA)
|
|
Купить
3500 т.
|
||
|
P5606HVG
|
SOIC8
|
|
Купить
1650 т.
|
||
| SOIC8
|
|
Critical Conduction Mode PFC Control IC | Тех. описание(PDF) |
Купить
600 т.
|
|
|
R2A20296FT
|
TQFP128
|
|
TV plasma controller |
Купить
4400 т.
|
|
|
RJP30H3A
|
TO263
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
0 т.
|
|
|
H5N2307LSTL-E
|
TO263
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 230V, 25A, |
Купить
2500 т.
|
|
RJH3047ADPK-80#T2
|
TO-3PN
|
|
N-Channel IGBT с диодом | 330V, 50A |
Купить
900 т.
|
|
RJH30A3DPK
|
TO-3PN
|
|
Купить
1300 т.
|
||
TO252AA
|
|
N-Channel с диодом +Zener-protected | 60V, 20A, 0,033Ω, 30W |
Купить
300 т.
|
|
|
P8008BD
|
TO252AA
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 80V, 15A, 80mΩ |
Купить
350 т.
|
|
RJP63K3
|
TO220F
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
0 т.
|
|
DPAK-1
|
|
P-канальный MOSFET с диодом | -60V, -25V, 50mΩ, 45W |
Купить
500 т.
|
|
| TO-3PN
|
|
N-Channel IGBT с диодом |
Купить
1100 т.
|
||
|
RJP4584DPP-90-T2
|
TO220F
|
|
N-Channel IGBT | 450V, 35A |
Купить
2000 т.
|
| TO252AA
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 40V, 55A, 10mΩ |
Купить
550 т.
|
|
|
R2A20112SP/DD
|
SO16
|
|
Купить
500 т.
|
||
|
R2A20292FT
|
TQFP128
|
|
Купить
600 т.
|
||
|
RJH3044DPP
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT | 300V, 40A |
Купить
400 т.
|
| TO252
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 57A, 9mΩ |
Купить
400 т.
|
|
|
HVM15
|
SC-59A
|
|
Купить
700 т.
|
||
| TO220F
|
|
N-Channel IGBT | Тех. описание(PDF) |
Купить
2500 т.
|
|
|
RJP63F3 (RGP63F3)
|
TO220F
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
1200 т.
|
|
|
P2204ND5G
|
DPAK-5
|
|
Купить
0 т.
|
||
| TO220F
|
|
N-Channel IGBT | 360V, 40A |
Купить
0 т.
|
|
| TO220AB
|
|
N-Channel с диодом +Zener-protected | 15mΩ |
Купить
0 т.
|
|
| TO220F
|
|
P-канальный MOSFET с диодом |
Купить
0 т.
|
||
TO-252-4L
|
|
N-Channel +D & P-Channel +D |
Купить
350 т.
|
||
TO-247
|
|
N-Channel IGBT с диодом | 600V, 40A, 260,4W |
Купить
1800 т.
|
|
TO3P
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
2700 т.
|
||
| SOIC8
|
|
N-Channel +D & P-Channel +D |
Купить
1300 т.
|
||
| SOIC8
|
|
P-канальный с диодом (Logic Level) | -30V, -9V, 20mΩ |
Купить
300 т.
|
|
| DPAK
|
|
P-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected | Тех. описание(PDF) |
Купить
1350 т.
|
|
|
R2S15902FP
|
TQFP44
|
|
Купить
1500 т.
|
||
|
R2S15903SP
|
SO32-300
|
|
Купить
2700 т.
|
||
|
R2S15904SP
|
SO28
|
|
Купить
2700 т.
|
||
|
RJP2557
|
TO3P
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
1300 т.
|
|
| TO252AA
|
|
N-Channel IGBT | Тех. описание(PDF) |
Купить
850 т.
|
|
| TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
900 т.
|
||
|
RJP63F3
|
TO220F
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
1100 т.
|
|
|
HD74LS90P
|
DIP14
|
|
Счетчик. DECADE COUNTER |
Купить
250 т.
|
|
|
HD74LS93P
|
DIP14
|
|
Купить
200 т.
|
||
|
RJP30H1DPP-M0
|
TO220F
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
350 т.
|
|
| TO-3PN
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
1000 т.
|
||
| DPAK
|
|
P-канальный MOSFET с диодом | -40V, -45A, 15mΩ |
Купить
550 т.
|
|
|
R2S15900
|
SO28
|
|
2ch Electronic Volume with Surround |
Купить
1800 т.
|
|
| TO263
|
|
N-Channel IGBT | 360V, 35A, 60W |
Купить
650 т.
|
|
|
RJH30E4
|
Unknown
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
0 т.
|
|
| TO220F
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
0 т.
|
||
| TO-3PN
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V, 20A, 0,30Ω, 150W |
Купить
1850 т.
|
|
| DPAK
|
|
N-Channel IGBT с диодом | 17A 600V 70ns 5Ω |
Купить
0 т.
|
|
|
RJP63F3A
|
TO220F
|
|
N-Channel IGBT | 630V, 40A |
Купить
500 т.
|
| TO-3PN
|
|
N-Channel IGBT | Тех. описание(PDF) |
Купить
2000 т.
|
|
| TO220AB
|
|
N-Channel с диодом +Zener-protected | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
