Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 46 позиций
ICL7660SCBA![]() |
Микросхемы прочие
CMOS Voltage Converter
HARRIS SEMICONDUCTOR
SOIC8
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
200 т.
Товар в корзине
|
IRF630![]() |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
HARRIS SEMICONDUCTOR
TO220AB
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
HGTG12N60C3D![]() |
Транзисторы прочие
HARRIS SEMICONDUCTOR
TO247
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
250 т.
Товар в корзине
|
HGTG12N60A4![]() |
N-Channel IGBT
N-Channel IGBT
HARRIS SEMICONDUCTOR
TO-247
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
600 т.
Товар в корзине
|
ICL7660![]() ![]() |
Микросхемы прочие
CMOS Voltage Converter
HARRIS SEMICONDUCTOR
DIP8-300
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
HY3003B![]() ![]() |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
30V, 100A, 3,5mΩ, 71W, 3267pF
HUAYI Microelectronics
TO-263-2L.
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
600 т.
Товар в корзине
|
74HC373![]() |
Регистры-защелки
8-ми разрядный регистр-защелка / Octal D-type transparent latch; 3-state
HARRIS SEMICONDUCTOR
SO20-300
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
CA3140E![]() |
Операционные усилители
4.5MHz, BiMOS Operational Amplifier with MOSFET Input/Bipolar Output
HARRIS SEMICONDUCTOR
DIP8-300
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
900 т.
Товар в корзине
|
HGTG20N120CNDBT4![]() |
N-Channel IGBT
63A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HARRIS SEMICONDUCTOR
TO247
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
BUZ21![]() ![]() |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
100V, 19A, 0,100mΩ, 75W, 1500pF
HARRIS SEMICONDUCTOR
TO-220AB.
|
![]() |
Купить
750 т.
Товар в корзине
|
HUF76129P![]() ![]() |
N-Channel с диодом
N-Channel с диодом (Logic Level)
HARRIS SEMICONDUCTOR
TO220AB
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
400 т.
Товар в корзине
|
BUZ351![]() ![]() |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
HARRIS SEMICONDUCTOR
TO-218AC
|
![]() |
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
CA3080E![]() |
Операционные усилители
Operational-Transconductance Amplifier
HARRIS SEMICONDUCTOR
DIP8-300
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
1000 т.
Товар в корзине
|
CA3140EZ![]() |
Операционные усилители
4.5MHz, BiMOS Operational Amplifier with MOSFET Input/Bipolar Output
HARRIS SEMICONDUCTOR
DIP8-300
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
900 т.
Товар в корзине
|
BUZ71![]() ![]() |
N-Channel с диодом (Automotive)
N-канальный MOSFET с диодом (Automotive)
HARRIS SEMICONDUCTOR
TO220AB
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
350 т.
Товар в корзине
|
HY5110A![]() ![]() |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
100V, 316A, 2,1mΩ
HUAYI Microelectronics
TO-3P-3L
|
![]() |
Купить
т.
Товар в корзине
|
CA3193AE![]() |
Операционные усилители
Operational Amplifier
HARRIS SEMICONDUCTOR
DIP8-300
|
![]() |
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
BUZ71A![]() ![]() |
N-Channel с диодом (Automotive)
N-канальный MOSFET с диодом (Automotive)
50V, 13A, 0,12Ω
HARRIS SEMICONDUCTOR
TO220AB
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
400 т.
Товар в корзине
|
BUZ11![]() |
N-Channel с диодом (Automotive)
N-канальный MOSFET с диодом
HARRIS SEMICONDUCTOR
TO220_HARRIS
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
250 т.
Товар в корзине
|
HY4004B ◙![]() |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
40V, 208A, 2,5mΩ
HUAYI Microelectronics
TO-263-2L
|
![]() |
Купить
т.
Товар в корзине
|
HY4004P ◙![]() |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
40V, 208A, 2,5mΩ
HUAYI Microelectronics
TO-220FB-3L
|
![]() |
Купить
т.
Товар в корзине
|
HUF76132P3 (marking: 76132P)![]() ![]() |
N-Channel с диодом
N-Channel с диодом (Logic Level)
HARRIS SEMICONDUCTOR
TO220_HARRIS
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
500 т.
Товар в корзине
|
CD4033BE![]() |
Счетчики
Декадные счетчики, делители / CMOS Decade Counters/Dividers
HARRIS SEMICONDUCTOR
DIP16
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
350 т.
Товар в корзине
|
BUZ11A![]() |
N-Channel с диодом (Automotive)
N-канальный MOSFET с диодом
HARRIS SEMICONDUCTOR
TO220_HARRIS
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
т.
Товар в корзине
|
HYG055N08NS1P (marking: G055N08P)![]() ![]() |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
TO-220FB-3L
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
650 т.
Товар в корзине
|
HY1920P![]() ![]() |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
200V, 90A, 23mΩ
HUAYI Microelectronics
TO-220FB-3L
|
![]() |
Купить
т.
Товар в корзине
|
HY1920W![]() ![]() |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
TO-247A-3L
|
![]() |
Купить
т.
Товар в корзине
|
HY5110W![]() ![]() |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
TO-247A-3L
|
![]() |
Купить
1500 т.
Товар в корзине
|
HY3003P![]() ![]() |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
30V, 100A, 3,5mΩ, 71W, 3267pF
HUAYI Microelectronics
TO-220FB-3L
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
700 т.
Товар в корзине
|
HY14P10B![]() ![]() |
P-Channel с диодом
P-канальный MOSFET с диодом
-100V, -40A, 45mΩ
HUAYI Microelectronics
TO-263-2L.
|
![]() |
Купить
т.
Товар в корзине
|
HY3008B![]() ![]() |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
80V, 100A, 6,6mΩ, 200W/100W, 3150pF
HUAYI Microelectronics
TO-263-2L.
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
600 т.
Товар в корзине
|
HY3008P![]() ![]() |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
80V, 100A, 6,6mΩ, 200W/100W, 3150pF
HUAYI Microelectronics
TO-220FB-3L
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
600 т.
Товар в корзине
|
HYG067N07NQ1P (marking: G067N07)![]() ![]() |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
68V, 80A, 6,5mΩ, 136W/68W
HUAYI Microelectronics
TO-220FB-3L
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
1200 т.
Товар в корзине
|
HYG067N07NQ1PS (marking: G067N07)![]() ![]() |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
68V, 80A, 6,5mΩ
HUAYI Microelectronics
TO-3PS-3L
|
![]() |
Купить
т.
Товар в корзине
|
HYG042N10P![]() ![]() |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
100V, 160A,
HUAYI Microelectronics
TO-220FB-3L
|
![]() |
Купить
750 т.
Товар в корзине
|
HYG019N04NR1C2 (marking: G019N04)![]() ![]() |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
40V, 127A, 2,0mΩ, 79/39W
HUAYI Microelectronics
PDFN8L(5x6)
|
![]() |
Купить
т.
Товар в корзине
|
HYG060N08NS1P (marking: G060N08P)![]() ![]() |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
80V, 105A, 5,5mΩ, 125/62,5W
HUAYI Microelectronics
TO-220FB-3L
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
700 т.
Товар в корзине
|
HY19P03P![]() ![]() |
P-Channel с диодом
P-канальный MOSFET с диодом
-30V, -90A, 4,7mΩ, 96W, 4787pF
HUAYI Microelectronics
TO-220FB-3L
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
700 т.
Товар в корзине
|
HYG030N03LQ1P (marking: G030N03)![]() ![]() |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
30V, 100A/71A, 2,8mΩ, 100W/37,5W, 1986pF
HUAYI Microelectronics
TO-220FB-3L
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
550 т.
Товар в корзине
|
HY050N08P![]() ![]() |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
85V, 105A, 4,7mΩ, 166W, 3417pF
HUAYI Microelectronics
TO-220FB-3L
|
![]() |
Купить
т.
Товар в корзине
|