Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 40 позиций 
  Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
ICL7660SCBA
SOIC8
HARRIS SEMICONDUCTOR CMOS Voltage Converter
Купить
200 т.
Товар в корзине
IRF630
TO220AB
HARRIS SEMICONDUCTOR N-канальный MOSFET с диодом
Купить
0 т.
Товар в корзине
HGTG12N60C3D
TO247
HARRIS SEMICONDUCTOR
Купить
250 т.
Товар в корзине
HGTG12N60A4
TO-247
HARRIS SEMICONDUCTOR N-Channel IGBT
Купить
600 т.
Товар в корзине
ICL7660
DIP8-300
HARRIS SEMICONDUCTOR CMOS Voltage Converter
Купить
0 т.
Товар в корзине
HY3003B
TO-263-2L.
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 30V, 100A, 3,5mΩ, 71W, 3267pF
Купить
600 т.
Товар в корзине
74HC373
SO20-300
HARRIS SEMICONDUCTOR 8-ми разрядный регистр-защелка / Octal D-type transparent latch; 3-state
Купить
0 т.
Товар в корзине
CA3140E
DIP8-300
HARRIS SEMICONDUCTOR 4.5MHz, BiMOS Operational Amplifier with MOSFET Input/Bipolar Output
Купить
900 т.
Товар в корзине
HGTG20N120CNDBT4
TO247
HARRIS SEMICONDUCTOR 63A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Купить
0 т.
Товар в корзине
BUZ21
TO-220AB.
HARRIS SEMICONDUCTOR N-канальный MOSFET с диодом 100V, 19A, 0,100mΩ, 75W, 1500pF
Купить
750 т.
Товар в корзине
HUF76129P
TO220AB
HARRIS SEMICONDUCTOR N-Channel с диодом (Logic Level)
30V, 56A, 16mΩ, 105W
Купить
400 т.
Товар в корзине
BUZ351
TO-218AC
HARRIS SEMICONDUCTOR N-канальный MOSFET с диодом
400, 11,5A, 0,4Ω
Купить
0 т.
Товар в корзине
CA3080E
DIP8-300
HARRIS SEMICONDUCTOR Operational-Transconductance Amplifier
Купить
1000 т.
Товар в корзине
CA3140EZ
DIP8-300
HARRIS SEMICONDUCTOR 4.5MHz, BiMOS Operational Amplifier with MOSFET Input/Bipolar Output
Купить
900 т.
Товар в корзине
BUZ71
TO220AB
HARRIS SEMICONDUCTOR N-канальный MOSFET с диодом (Automotive)
Купить
350 т.
Товар в корзине
HY5110A
TO-3P-3L
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 100V, 316A, 2,1mΩ
Товар в корзине
CA3193AE
DIP8-300
HARRIS SEMICONDUCTOR Operational Amplifier
Купить
0 т.
Товар в корзине
BUZ71A
TO220AB
HARRIS SEMICONDUCTOR N-канальный MOSFET с диодом (Automotive) 50V, 13A, 0,12Ω
Купить
400 т.
Товар в корзине
BUZ11
TO220_HARRIS
HARRIS SEMICONDUCTOR N-канальный MOSFET с диодом
Купить
250 т.
Товар в корзине
HY4004B ◙
TO-263-2L
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 40V, 208A, 2,5mΩ
Товар в корзине
HY4004P ◙
TO-220FB-3L
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 40V, 208A, 2,5mΩ
Товар в корзине
HUF76132P3 <76132P>
TO220_HARRIS
HARRIS SEMICONDUCTOR N-Channel с диодом (Logic Level)
30V, 75A, 0,011Ω
Купить
500 т.
Товар в корзине
CD4033BE
DIP16
HARRIS SEMICONDUCTOR Декадные счетчики, делители / CMOS Decade Counters/Dividers
Купить
350 т.
Товар в корзине
BUZ11A
TO220_HARRIS
HARRIS SEMICONDUCTOR N-канальный MOSFET с диодом
Товар в корзине
HYG055N08NS1P
TO-220FB-3L
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом
80V, 120A, 5,3mΩ, VGS(th): 3V
Купить
650 т.
Товар в корзине
HY1920P
TO-220FB-3L
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 200V, 90A, 23mΩ
Товар в корзине
HY1920W
TO-247A-3L
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом
200V, 90A, 23mΩ
Товар в корзине
HY5110W
TO-247A-3L
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом
100V, 316A, 2,1mΩ
Купить
1500 т.
Товар в корзине
HY3003P
TO-220FB-3L
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 30V, 100A, 3,5mΩ, 71W, 3267pF
Купить
700 т.
Товар в корзине
HY14P10B
TO-263-2L.
HUAYI Microelectronics P-канальный MOSFET с диодом -100V, -40A, 45mΩ
Товар в корзине
HY3008B
TO-263-2L.
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 80V, 100A, 6,6mΩ, 200W/100W, 3150pF
Купить
600 т.
Товар в корзине
HY3008P
TO-220FB-3L
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 80V, 100A, 6,6mΩ, 200W/100W, 3150pF
Купить
600 т.
Товар в корзине
HY8345
SOP8
HUAYI Microelectronics
Купить
800 т.
Товар в корзине
HYG067N07NQ1P
TO-220FB-3L
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 68V, 80A, 6,5mΩ, 136W/68W
Купить
1200 т.
Товар в корзине
HYG067N07NQ1PS
TO-3PS-3L
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 68V, 80A, 6,5mΩ
Товар в корзине
HYG042N10P
TO-220FB-3L
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 100V, 160A,
Купить
750 т.
Товар в корзине
HYG019N04NR1C2
PDFN8L(5x6)
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 40V, 127A, 2,0mΩ, 79/39W
Товар в корзине
HYG060N08NS1P
TO-220FB-3L
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 80V, 105A, 5,5mΩ, 125/62,5W
Купить
700 т.
Товар в корзине
HY19P03P
TO-220FB-3L
HUAYI Microelectronics P-канальный MOSFET с диодом -30V, -90A, 4,7mΩ, 96W, 4787pF
Купить
700 т.
Товар в корзине
HYG030N03LQ1P
TO-220FB-3L
HUAYI Microelectronics N-канальный MOSFET с диодом 30V, 100A/71A, 2,8mΩ, 100W/37,5W, 1986pF
Купить
550 т.
Товар в корзине