Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 37 позиций
| Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
|---|---|---|---|---|---|
|
FS3TM
|
TO-220F LG-formed
|
|
Купить
1350 т.
|
||
| TO-220F LG-formed
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 250V, 20A, 30W |
Купить
850 т.
|
|
|
RJH3044DPP
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT | 300V, 40A |
Купить
400 т.
|
|
GT30F122
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT | 300V, 120A |
Купить
450 т.
|
| TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
900 т.
|
||
| TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT | 300V, 200A |
Купить
400 т.
|
|
|
DG3D5020CSLW
|
TO-220F LG-formed
|
|
Купить
1350 т.
|
||
|
RJP4301APP
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
1200 т.
|
|
| TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT | 400V, 45W |
Купить
750 т.
|
|
|
FGPF4536
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT | 360V |
Купить
т.
|
| TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT | 300V 200A |
Купить
400 т.
|
|
|
RJP30H1DPP-M0
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
400 т.
|
|
|
GT30F123
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT | 300V, 200A |
Купить
350 т.
|
| TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
550 т.
|
||
| TO-220F LG-formed
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 200V, 45A, 0,036Ω |
Купить
500 т.
|
|
|
RJP63F3A
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT | 630V, 40A |
Купить
0 т.
|
| TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT без диода | 300V, 200A, |
Купить
650 т.
|
|
|
RJP3053
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
500 т.
|
|
|
GT45F128
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
400 т.
|
|
|
RJP43F4A
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
650 т.
|
|
| TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT | 600V, 200A |
Купить
900 т.
|
|
|
GT30J127
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT | 600V, 30A/200A |
Купить
400 т.
|
| TO-220F LG-formed
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 250V, 44A, 69mΩ, 47nC, 60pF |
Купить
850 т.
|
|
| TO-220F LG-formed
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 200V, 18A, 0,14Ω |
Купить
400 т.
|
|
|
GT45G128
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
750 т.
|
|
|
RJP3034
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
650 т.
|
|
| TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
350 т.
|
|
|
RJP30Y2ADPP
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
600 т.
|
|
|
RJP4046DPP
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
650 т.
|
|
|
RJP63F4A
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
1000 т.
|
|
| TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT | 330V, 70A, VCE(sat)=1,55V |
Купить
400 т.
|
|
|
GT30G123
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT | 430V, 200A |
Купить
600 т.
|
|
RJP63E4
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
400 т.
|
|
|
RJP63G4
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
0 т.
|
|
|
GT45G127
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
450 т.
|
|
|
2SK3264-01MR
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 800V, 7A |
Купить
т.
|
|
DG501RP
|
TO-220F LG-formed
|
|
Купить
900 т.
|
