Каталог товаров > Активные компоненты > Транзисторы > Биполярные с изолированным затвором (IGBT)

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 1 позиций 
N-Channel IGBT с диодом
2-21F2C

GT50N322

N-Channel IGBT с диодом
Toshiba Semiconductor Toshiba Semiconductor
Есть в наличии
Купить
2400 т.
Товар в корзине