Каталог товаров > Активные компоненты > Транзисторы > Биполярные с изолированным затвором (IGBT)

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 1 позиций 
  Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
GT50N322
2-21F2C
Toshiba Semiconductor N-Channel IGBT с диодом
Купить
2400 т.
Товар в корзине