Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 13 позиций 
N-Channel с диодом
TO-220F LG-formed

H5N2517FN

250V, 20A, 30W
N-канальный MOSFET с диодом
Renesas Technology Renesas Technology
Есть в наличии
Купить
850 т.
Товар в корзине
N-Channel (обработка)
SOT89

2SK1070

N-Channel Junction FET
Renesas Technology Renesas Technology
Есть в наличии
Купить
1400 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
DPAK

H7N1004DS

100V, 25A, 25mΩ
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
Renesas Technology Renesas Technology
Нет в наличии
Товар в корзине
Варисторы
VAR-07

VAR. 07 mm 390 вольт

KVR KVR
Есть в наличии
Купить
0 т.
Товар в корзине
Варисторы
VAR-07

VAR. 07 mm 430 вольт

KVR KVR
Есть в наличии
Купить
0 т.
Товар в корзине
Варисторы
VAR-10

VAR. 10 mm 510 вольт

KVR KVR
Есть в наличии
Купить
150 т.
Товар в корзине
N-Channel IGBT
TO-3PFM.

RJP6065DPM

630V, ±30A, 50W
N-Channel IGBT
Renesas Technology Renesas Technology
Нет в наличии
Товар в корзине
Варисторы
Unknown

07-361 (360V)

KVR KVR
Есть в наличии
Купить
0 т.
Товар в корзине
Варисторы
Unknown

MYG10-241 (240V)

KVR KVR
Есть в наличии
Купить
0 т.
Товар в корзине
Варисторы
Unknown

MYG14-330 (33V)

KVR KVR
Есть в наличии
Купить
0 т.
Товар в корзине
Варисторы
Unknown

MYG14-361 (360V)

KVR KVR
Есть в наличии
Купить
0 т.
Товар в корзине
N-Channel (обработка)
SOT23

2SK1070PIDTL-E

Тех. описание(PDF)
N-Channel Junction FET
Renesas Technology Renesas Technology
Нет в наличии
Купить
0 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO–220FM

H5N5001FM

500V, 5A, 1,1Ω, 15ns, 15nC
N-канальный MOSFET с диодом
Renesas Technology Renesas Technology
Нет в наличии
Товар в корзине