Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 13 позиций 
  Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
H5N2517FN
TO-220F LG-formed
Renesas Technology N-канальный MOSFET с диодом
250V, 20A, 30W
Купить
850 т.
Товар в корзине
2SK1070
SOT89
Renesas Technology N-Channel Junction FET
Купить
1400 т.
Товар в корзине
H7N1004DS
DPAK
Renesas Technology N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
100V, 25A, 25mΩ
Товар в корзине
VAR. 07 mm 390 вольт
VAR-07
KVR
Купить
0 т.
Товар в корзине
VAR. 07 mm 430 вольт
VAR-07
KVR
Купить
0 т.
Товар в корзине
VAR. 10 mm 510 вольт
VAR-10
KVR
Купить
150 т.
Товар в корзине
RJP6065DPM
TO-3PFM.
Renesas Technology N-Channel IGBT
630V, ±30A, 50W
Товар в корзине
07-361 (360V)
Unknown
KVR
Купить
0 т.
Товар в корзине
MYG10-241 (240V)
Unknown
KVR
Купить
0 т.
Товар в корзине
MYG14-330 (33V)
Unknown
KVR
Купить
0 т.
Товар в корзине
MYG14-361 (360V)
Unknown
KVR
Купить
0 т.
Товар в корзине
2SK1070PIDTL-E
SOT23
Renesas Technology N-Channel Junction FET
Тех. описание(PDF)
Купить
0 т.
Товар в корзине
H5N5001FM
TO–220FM
Renesas Technology N-канальный MOSFET с диодом
500V, 5A, 1,1Ω, 15ns, 15nC
Товар в корзине