Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 44 позиций
2SA1980-Y |
PNP
PNP
-50V, -150mA, 120~240
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
TO92
Есть в наличии
|
Купить
200 т.
Товар в корзине
|
HY3003B |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
TO-263-2L.
Есть в наличии
|
Купить
600 т.
Товар в корзине
|
2SD2118-Q |
NPN
NPN
50V, 5A, 1W
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
DPAK
Есть в наличии
|
Купить
350 т.
Товар в корзине
|
2SC3415 |
NPN
NPN
0,1A 300V
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
TO92
Есть в наличии
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
KTA1504
|
PNP
PNP
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
SOT23
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
HY5110A |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
100V, 316A, 2,1mΩ
HUAYI Microelectronics
TO-3P-3L
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
SSG4503 <4503SS> |
N-Channel & P-Channel
N-Channel & P-Channel
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
SO8
Есть в наличии
|
Купить
800 т.
Товар в корзине
|
STT8205S <8205A> |
Dual N-Channel с диодом
Dual N-Channel с диодом
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
SOT23-6
Есть в наличии
|
Купить
200 т.
Товар в корзине
|
SSD95N03 |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
DPAK
Есть в наличии
|
Купить
500 т.
Товар в корзине
|
2SA1036-Q
|
PNP
PNP
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
SOT23
Есть в наличии
|
Купить
300 т.
Товар в корзине
|
CZT5551-C
|
NPN
NPN
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
SOT223
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
HY4004B ◙ |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
40V, 208A, 2,5mΩ
HUAYI Microelectronics
TO-263-2L
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
HY4004P ◙ |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
40V, 208A, 2,5mΩ
HUAYI Microelectronics
TO-220FB-3L
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
SSE04N03 |
N-Channel с диодом
N-Channel с диодом Logic Level
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
TO-220-3
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
SP10150 |
Диоды Шоттки
Schottky Barrier Rectifiers
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
TO220F
|
Купить
300 т.
Товар в корзине
|
SSD20N06-90D |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
DPAK
Есть в наличии
|
Купить
350 т.
Товар в корзине
|
SSP7460N <3K> |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
SOP-8PP
Есть в наличии
|
Купить
850 т.
Товар в корзине
|
2SC4617R
|
NPN
NPN
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
SOT-523
Есть в наличии
|
Купить
100 т.
Товар в корзине
|
SR5150 |
Диоды Шоттки
Schottky Barrier Rectifier
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
DO201
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
STB1277-Y |
PNP
PNP
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
TO92
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
2SB772L |
PNP
PNP
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
DPAK
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
DTC143ZKA
|
NPN Digital Transistors
Цифровой NPN транзистор
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
SOT23
Есть в наличии
|
Купить
80 т.
Товар в корзине
|
KTA1505-Y
|
PNP
PNP
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
SOT23
Есть в наличии
|
Купить
220 т.
Товар в корзине
|
SDT3021 |
Микросхемы прочие
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
SOIC8
Есть в наличии
|
Купить
700 т.
Товар в корзине
|
SSE90P06-08P |
P-Channel с диодом
P-канальный MOSFET с диодом
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
TO-220P
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
SSD70N04-06D |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
DPAK
Есть в наличии
|
Купить
550 т.
Товар в корзине
|
HYG055N08NS1P
|
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
TO-220FB-3L
Есть в наличии
|
Купить
650 т.
Товар в корзине
|
HY1920P |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
200V, 90A, 23mΩ
HUAYI Microelectronics
TO-220FB-3L
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
HY1920W |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
TO-247A-3L
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
HY5110W |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
TO-247A-3L
|
Купить
1500 т.
Товар в корзине
|
HY3003P |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
30V, 100A, 3,5mΩ, 71W, 3267pF
HUAYI Microelectronics
TO-220FB-3L
Есть в наличии
|
Купить
700 т.
Товар в корзине
|
HY14P10B |
P-Channel с диодом
P-канальный MOSFET с диодом
-100V, -40A, 45mΩ
HUAYI Microelectronics
TO-263-2L.
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
HY3008B |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
TO-263-2L.
Есть в наличии
|
Купить
600 т.
Товар в корзине
|
HY3008P |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
TO-220FB-3L
Есть в наличии
|
Купить
600 т.
Товар в корзине
|
HY8345 ◙ |
Микросхемы прочие
HUAYI Microelectronics
SOP8
Есть в наличии
|
Купить
800 т.
Товар в корзине
|
2SA1980-G |
PNP
PNP
-50V, -150mA, 200~400
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
TO92
Есть в наличии
|
Купить
200 т.
Товар в корзине
|
SBL30U100 |
Диоды Шоттки
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
TO-220-3
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
HYG067N07NQ1P
|
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
68V, 80A, 6,5mΩ, 136W/68W
HUAYI Microelectronics
TO-220FB-3L
Есть в наличии
|
Купить
1200 т.
Товар в корзине
|
HYG067N07NQ1PS
|
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
68V, 80A, 6,5mΩ
HUAYI Microelectronics
TO-3PS-3L
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
HYG042N10P |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
100V, 160A,
HUAYI Microelectronics
TO-220FB-3L
|
Купить
750 т.
Товар в корзине
|