Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 16 позиций
Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
---|---|---|---|---|---|
2SD1175
|
TO3
|
NPN |
Купить
200 т.
|
||
2SD844
|
TO-247
|
NPN |
Купить
400 т.
|
||
TO-3PN
|
N-Channel с диодом +Zener-protected | 900V, 5A, 3Ω, 50W |
Купить
1400 т.
|
||
2SK1351
|
TO220F
|
N-Channel |
Купить
400 т.
|
||
2SC4747
|
TO3PFM
|
NPN |
Купить
170 т.
|
||
IN74AC273N
|
DIP20
|
Купить
100 т.
|
|||
IN74LS85N
|
DIP16
|
Цифровая |
Купить
120 т.
|
||
MIK324
|
DIP14
|
Операционный усилитель. LOW POWER QUAD OPERATIONAL AMPLIFIER | Тех. описание(PDF) |
Купить
120 т.
|
|
431C
|
TO92
|
ИОНиТ | Регулируемый ИОН |
Купить
70 т.
|
|
SO14
|
Стандартная логика. Шесть буферных элементов с открытым коллекторным высоковольтным выходом | Тех. описание(PDF) |
Купить
300 т.
|
||
IL145567N
|
DIP20
|
Купить
т.
|
|||
IW4502BD
|
SO16
|
Strobed Hex Inverter/Buffer; High-Voltage Silicon-Gate CMOS | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
IW4520BD
|
SO16
|
Счетчики. Dual up-counter, high-voltage silicon-gate CMOS | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
IW4011BD
|
SO14
|
Quad 2-Input NAND Gate/High-Voltage Silicon-Gate CMOS | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
КР1533ИД14
|
DIP16
|
Купить
0 т.
|
|||
КР1533КП11А
|
DIP16
|
Купить
0 т.
|