Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 35 позиций
Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
---|---|---|---|---|---|
TO92FullPak
|
PNP | -30V, -2A, 625mW |
Купить
0 т.
|
||
TO263
|
Ultrafast Recovery Rectifier | Тех. описание(PDF) |
Купить
650 т.
|
||
IN74AC273N
|
DIP20
|
Купить
100 т.
|
|||
IN74LS85N
|
DIP16
|
Цифровая |
Купить
120 т.
|
||
TO220F
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
350 т.
|
|||
TO-220F-3L
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
550 т.
|
|||
TO-3PN
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V, 13A, 0,65Ω, 14,6pF, 41nC, 200W |
Купить
1200 т.
|
||
TO-3PN
|
N-канальный MOSFET с диодом | 500V 12,6A 0,26Ω |
Купить
0 т.
|
||
DPAK
|
Ultrafast Recovery Rectifier |
Купить
850 т.
|
|||
DPAK
|
N-канальный MOSFET с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
||
MIK324
|
DIP14
|
Операционный усилитель. LOW POWER QUAD OPERATIONAL AMPLIFIER | Тех. описание(PDF) |
Купить
120 т.
|
|
SP-92
|
Цифровой NPN транзистор | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
||
SOIC8
|
P-канальный MOSFET с диодом | -30V, -5,3A, 72mΩ, 4,7nC |
Купить
т.
|
||
431C
|
TO92
|
ИОНиТ | Регулируемый ИОН |
Купить
70 т.
|
|
SF10A600H
|
TO-220F-2L
|
Ultrafast Recovery Rectifier | 600V, 10A |
Купить
т.
|
|
SF20A600HT
|
ISO220-2
|
ULTRAFAST RECTIFIER |
Купить
450 т.
|
||
DPAK
|
Ultrafast Recovery Power Rectifier | 600V, 10A, 22ns |
Купить
т.
|
||
TO220F
|
ULTRAFAST DUAL RECTIFIERS | Тех. описание(PDF) |
Купить
400 т.
|
||
SO14
|
Стандартная логика. Шесть буферных элементов с открытым коллекторным высоковольтным выходом | Тех. описание(PDF) |
Купить
300 т.
|
||
TO220F
|
Ultrafast Recovery Rectifier | 600V, 10A |
Купить
450 т.
|
||
DPAK
|
PNP | Тех. описание(PDF) |
Купить
400 т.
|
||
IL145567N
|
DIP20
|
Купить
т.
|
|||
IW4502BD
|
SO16
|
Strobed Hex Inverter/Buffer; High-Voltage Silicon-Gate CMOS | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
IW4520BD
|
SO16
|
Счетчики. Dual up-counter, high-voltage silicon-gate CMOS | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
IW4011BD
|
SO14
|
Quad 2-Input NAND Gate/High-Voltage Silicon-Gate CMOS | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
TO252AA
|
N-канальный MOSFET с диодом | 200V, 9A/5,7A, 24pF, 12nC |
Купить
350 т.
|
||
TO220F
|
ULTRAFAST DUAL RECTIFIERS | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
||
TO220F
|
N-канальный MOSFET с диодом | 250V, 16A, 0,27Ω, 35W, 22nC |
Купить
650 т.
|
||
SF20A600N
|
TO220F
|
ULTRAFAST RECTIFIER |
Купить
т.
|
||
TO-220F-3L
|
N-канальный MOSFET с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
||
КР1533ИД14
|
DIP16
|
Купить
0 т.
|
|||
КР1533КП11А
|
DIP16
|
Купить
0 т.
|
|||
TO-220F-3L
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V, 13A, 0,65Ω, 14,6pF, 41nC, 45W |
Купить
т.
|
||
SF20A600H
|
TO-3PN
|
ULTRAFAST RECTIFIER |
Купить
т.
|
||
DPAK-1
|
N-канальный MOSFET с диодом | 200V, 9A/5,7A, 24pF, 12nC |
Купить
550 т.
|