Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 26 позиций
| Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
|---|---|---|---|---|---|
|
IN74AC273N
|
DIP20
|
|
Купить
100 т.
|
||
TO-220-3
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 60V, 55A, 18mΩ |
Купить
550 т.
|
|
|
IN74LS85N
|
DIP16
|
|
Цифровая |
Купить
120 т.
|
|
TO-3PN
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 500V, 20A, 0,26Ω, 230W |
Купить
1000 т.
|
|
|
MIK324
|
DIP14
|
|
Операционный усилитель. LOW POWER QUAD OPERATIONAL AMPLIFIER | Тех. описание(PDF) |
Купить
120 т.
|
|
431C
|
TO92
|
|
ИОНиТ | Регулируемый ИОН |
Купить
70 т.
|
TO220AB
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 75V, 100A, 11mΩ |
Купить
500 т.
|
|
| TO220AB
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 100V, 57A, 23mΩ |
Купить
450 т.
|
|
SO14
|
|
Стандартная логика. Шесть буферных элементов с открытым коллекторным высоковольтным выходом | Тех. описание(PDF) |
Купить
300 т.
|
|
|
FTP16N06B
|
TO-220-3
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
400 т.
|
|
| TO220AB
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 75V, 100A, 11mΩ |
Купить
550 т.
|
|
| TO-220-3
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 55V, 120A, 8mΩ |
Купить
500 т.
|
|
|
IL145567N
|
DIP20
|
|
Купить
т.
|
||
|
IW4502BD
|
SO16
|
|
Strobed Hex Inverter/Buffer; High-Voltage Silicon-Gate CMOS | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
IW4520BD
|
SO16
|
|
Счетчики. Dual up-counter, high-voltage silicon-gate CMOS | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
IW4011BD
|
SO14
|
|
Quad 2-Input NAND Gate/High-Voltage Silicon-Gate CMOS | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
| TO-3PN
|
|
Super Fast Recovery Diode | 200V, 20A, 25nS |
Купить
750 т.
|
|
| TO-3PN
|
|
N-Channel с диодом +Zener-protected | 500V, 25A, 0,18Ω |
Купить
700 т.
|
|
|
FTP16N06A
|
TO-220-3
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 60V, 88A, 16mΩ |
Купить
400 т.
|
|
КР1533ИД14
|
DIP16
|
|
Купить
0 т.
|
||
|
КР1533КП11А
|
DIP16
|
|
Купить
0 т.
|
||
TO-220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 500V, 14A, 0,46Ω |
Купить
600 т.
|
|
TO-220
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 500V, 14A, 0,46Ω |
Купить
300 т.
|
|
|
FSW25N50A
|
TO247
|
|
N-Channel с диодом +Zener-protected | 500V, 25A, 0,18Ω |
Купить
1000 т.
|
| TO-220
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 60V, 230A, 3mΩ, 284W, 5681pF |
Купить
1200 т.
|
|
TO-247
|
|
N-Channel IGBT с диодом | 1200V, 40A |
Купить
т.
|
