Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 35 позиций
Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
---|---|---|---|---|---|
2SD2544-Q
|
MT4 Type Package
|
Silicon NPN triple diffusion planar type | 60V, 4A, hFE1=500 to 1200 |
Купить
1000 т.
|
|
AN3311K
|
SDIP22-300
|
Head Amplifier Ics for 4-Head VCR | Тех. описание(PDF) |
Купить
800 т.
|
|
2SD1776
|
TO-220 Full Pack
|
NPN | 60V, 2A, 25W |
Купить
700 т.
|
|
MT-3-A1
|
PNP | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
||
IN74AC273N
|
DIP20
|
Купить
100 т.
|
|||
IN74LS85N
|
DIP16
|
Цифровая |
Купить
120 т.
|
||
2SD2371
|
Unknown
|
NPN |
Купить
0 т.
|
||
Fig.9
|
Reflective Photosensor | Тех. описание(PDF) |
Купить
500 т.
|
||
2SK663
|
SOT23
|
N-Channel Junction FETs (Small Signal) | 55V, 30mA, 150mW |
Купить
0 т.
|
|
TO220F
|
NPN Darlington с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
700 т.
|
||
MIK324
|
DIP14
|
Операционный усилитель. LOW POWER QUAD OPERATIONAL AMPLIFIER | Тех. описание(PDF) |
Купить
120 т.
|
|
TO-220F-A1
|
N-Channel IGBT | 300V, 30A, 40W |
Купить
1200 т.
|
||
431C
|
TO92
|
ИОНиТ | Регулируемый ИОН |
Купить
70 т.
|
|
AN7707F-24
|
TO220F
|
Low-dropout three-pin voltage regulator | 24V, 1,2A |
Купить
1000 т.
|
|
TO-220F-A1
|
N-Channel IGBT | 430V, 40A, 40W |
Купить
600 т.
|
||
TO-220F-A1
|
N-Channel IGBT | 510V, 40A, 40W |
Купить
600 т.
|
||
TO-220F-A1
|
N-Channel IGBT | 410V, 40A, 40W |
Купить
500 т.
|
||
SO14
|
Стандартная логика. Шесть буферных элементов с открытым коллекторным высоковольтным выходом | Тех. описание(PDF) |
Купить
300 т.
|
||
SOT23
|
PNP Transistor with built-in Resistor | Тех. описание(PDF) |
Купить
150 т.
|
||
TO-220E
|
N-Channel с диодом +Zener-protected | 60V, ±40A, 12Ω, 50W |
Купить
0 т.
|
||
10 Lead Plastic SIL
|
(Automotive) | Power Transistor Arrays (F-MOS FETs) |
Купить
2300 т.
|
||
IL145567N
|
DIP20
|
Купить
т.
|
|||
IW4502BD
|
SO16
|
Strobed Hex Inverter/Buffer; High-Voltage Silicon-Gate CMOS | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
IW4520BD
|
SO16
|
Счетчики. Dual up-counter, high-voltage silicon-gate CMOS | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
IW4011BD
|
SO14
|
Quad 2-Input NAND Gate/High-Voltage Silicon-Gate CMOS | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
TO-220F-A1
|
N-Channel IGBT | 540V, 40A, 40W |
Купить
500 т.
|
||
КР1533ИД14
|
DIP16
|
Купить
0 т.
|
|||
КР1533КП11А
|
DIP16
|
Купить
0 т.
|
|||
2SB1699 <3: A> <3A>
|
SOT89
|
PNP (For power amplification) | -60V, -2A, 1W |
Купить
300 т.
|
|
PUB4702 ◙
|
10 Pin SIP
|
(Automotive) N-Channel Power F-MOS FET |
Купить
т.
|
||
PU4320
|
10 Lead Plastic SIL
|
NPN/PNP Darlington с диодом (Automotive) | NPN & PNP Darlington с диодом |
Купить
т.
|
|
2SB1548
|
TO220F
|
PNP | -60, -3A, |
Купить
750 т.
|
|
TO-92 NL
|
Intelligent Power Devices (IPDs) Automotive |
Купить
1000 т.
|
|||
2SD2544-P
|
MT4 Type Package
|
Silicon NPN triple diffusion planar type | 60V, 4A, hFE1=800 to 2000 |
Купить
1000 т.
|
|
2SB1539 <1N>
|
SC-62
|
PNP |
Купить
350 т.
|