Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 16 позиций
Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
---|---|---|---|---|---|
IN74AC273N
|
DIP20
|
Купить
100 т.
|
|||
IN74LS85N
|
DIP16
|
Цифровая |
Купить
120 т.
|
||
TO-3PN
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V, 47A, 68mΩ, 446W |
Купить
т.
|
||
TO-247
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V, 47A, 68mΩ, 417W |
Купить
т.
|
||
MIK324
|
DIP14
|
Операционный усилитель. LOW POWER QUAD OPERATIONAL AMPLIFIER | Тех. описание(PDF) |
Купить
120 т.
|
|
431C
|
TO92
|
ИОНиТ | Регулируемый ИОН |
Купить
70 т.
|
|
SO14
|
Стандартная логика. Шесть буферных элементов с открытым коллекторным высоковольтным выходом | Тех. описание(PDF) |
Купить
300 т.
|
||
GP47S50X
|
TO-247
|
N-канальный MOSFET с диодом | 500V, 47A, ??mΩ, ???W |
Купить
1400 т.
|
|
TO220FP
|
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected | 500V, 9,7A, 0,7Ω, 44W |
Купить
0 т.
|
||
IL145567N
|
DIP20
|
Купить
т.
|
|||
IW4502BD
|
SO16
|
Strobed Hex Inverter/Buffer; High-Voltage Silicon-Gate CMOS | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
IW4520BD
|
SO16
|
Счетчики. Dual up-counter, high-voltage silicon-gate CMOS | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
IW4011BD
|
SO14
|
Quad 2-Input NAND Gate/High-Voltage Silicon-Gate CMOS | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
КР1533ИД14
|
DIP16
|
Купить
0 т.
|
|||
КР1533КП11А
|
DIP16
|
Купить
0 т.
|
|||
TO220AB
|
N-канальный MOSFET с диодом | 245W |
Купить
т.
|