Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 18 позиций
Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
---|---|---|---|---|---|
LM555CN
|
DIP8-300
|
Купить
100 т.
|
|||
FP60N06L
|
TO220AB
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
0 т.
|
||
LM79L05
|
Unknown
|
Купить
0 т.
|
|||
CD4093BE
|
DIP14
|
4 логических элемента 2И-НЕ с триггерами Шмитта-инверторов на выходах (CMOS Quad 2-Input NAND Schmitt Triggers) |
Купить
200 т.
|
||
IN74AC273N
|
DIP20
|
Купить
100 т.
|
|||
CD4541BE
|
DIP14
|
Таймеры программируемые (CMOS Programmable Timer) |
Купить
0 т.
|
||
IN74LS85N
|
DIP16
|
Цифровая |
Купить
120 т.
|
||
SSP40N10
|
TO220AB
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
0 т.
|
||
MIK324
|
DIP14
|
Операционный усилитель. LOW POWER QUAD OPERATIONAL AMPLIFIER | Тех. описание(PDF) |
Купить
120 т.
|
|
431C
|
TO92
|
ИОНиТ | Регулируемый ИОН |
Купить
70 т.
|
|
SO14
|
Стандартная логика. Шесть буферных элементов с открытым коллекторным высоковольтным выходом | Тех. описание(PDF) |
Купить
300 т.
|
||
MJE13005
|
TO-220-3
|
NPN |
Купить
150 т.
|
||
IL145567N
|
DIP20
|
Купить
т.
|
|||
IW4502BD
|
SO16
|
Strobed Hex Inverter/Buffer; High-Voltage Silicon-Gate CMOS | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
IW4520BD
|
SO16
|
Счетчики. Dual up-counter, high-voltage silicon-gate CMOS | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
IW4011BD
|
SO14
|
Quad 2-Input NAND Gate/High-Voltage Silicon-Gate CMOS | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
КР1533ИД14
|
DIP16
|
Купить
0 т.
|
|||
КР1533КП11А
|
DIP16
|
Купить
0 т.
|