Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 18 позиций 
  Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
LM555CN
DIP8-300
H
Купить
100 т.
Товар в корзине
FP60N06L
TO220AB
H N-канальный MOSFET с диодом
Купить
0 т.
Товар в корзине
LM79L05
Unknown
H
Купить
0 т.
Товар в корзине
CD4093BE
DIP14
H 4 логических элемента 2И-НЕ с триггерами Шмитта-инверторов на выходах (CMOS Quad 2-Input NAND Schmitt Triggers)
Купить
200 т.
Товар в корзине
IN74AC273N
DIP20
Integral
Купить
100 т.
Товар в корзине
CD4541BE
DIP14
H Таймеры программируемые (CMOS Programmable Timer)
Купить
0 т.
Товар в корзине
IN74LS85N
DIP16
Integral Цифровая
Купить
120 т.
Товар в корзине
SSP40N10
TO220AB
H N-канальный MOSFET с диодом
Купить
0 т.
Товар в корзине
MIK324
DIP14
Integral Операционный усилитель. LOW POWER QUAD OPERATIONAL AMPLIFIER
Тех. описание(PDF)
Купить
120 т.
Товар в корзине
431C
TO92
Integral ИОНиТ Регулируемый ИОН
Купить
70 т.
Товар в корзине
IN74LS07D
SO14
Integral Стандартная логика. Шесть буферных элементов с открытым коллекторным высоковольтным выходом
Тех. описание(PDF)
Купить
300 т.
Товар в корзине
MJE13005
TO-220-3
H NPN
Купить
150 т.
Товар в корзине
IL145567N
DIP20
Integral
Товар в корзине
IW4502BD
SO16
Integral Strobed Hex Inverter/Buffer; High-Voltage Silicon-Gate CMOS
Тех. описание(PDF)
Товар в корзине
IW4520BD
SO16
Integral Счетчики. Dual up-counter, high-voltage silicon-gate CMOS
Тех. описание(PDF)
Товар в корзине
IW4011BD
SO14
Integral Quad 2-Input NAND Gate/High-Voltage Silicon-Gate CMOS
Тех. описание(PDF)
Товар в корзине
КР1533ИД14
DIP16
Integral
Купить
0 т.
Товар в корзине
КР1533КП11А
DIP16
Integral
Купить
0 т.
Товар в корзине